結晶二極管英文解釋翻譯、結晶二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 crystal diode

crystal; crystallization; crystallize
【化】 crystallization
【醫】 Crys.; crystal; crystallization

diode
【化】 diode

結晶二極管（Crystal Diode）是一種基于半導體晶體材料制成的電子器件，其核心結構為PN結，具有單向導電特性。以下是其專業術語解析及技術内涵：

術語定義與結構特征
結晶二極管由摻雜的P型（空穴導電）和N型（電子導電）半導體晶體通過合金或擴散工藝結合形成，英文對應"Crystal Diode"或"Semiconductor Junction Diode"。該結構在正向偏置時導通電流，反向偏置時阻斷電流（參考：Springer《半導體器件物理》）。
物理機制與性能參數
其工作原理基于載流子擴散與耗盡層電場平衡，關鍵參數包含正向壓降（0.3V-0.7V）、反向擊穿電壓（5V-2000V）及結電容（pF級）。理論模型可表述為肖克利方程：

$$ I = I_s(e^{frac{V}{eta V_T}} - 1) $$

其中$I_s$為飽和電流，$eta$為理想因子，$V_T$為熱電壓（來源：IEEE Xplore電子器件學報）。
應用場景與技術演進
自1940年貝爾實驗室開發首個點接觸鍺二極管以來，該器件廣泛應用于整流電路（如電源適配器）、射頻檢波（如AM收音機）、靜電防護（TVS管）及數字邏輯電路。現代變體包括肖特基二極管（低導通損耗）和齊納二極管（穩壓特性）（引自《電子工程手冊》第7版）。
制造工藝與材料體系
主流采用矽單晶片通過光刻、離子注入工藝制造，高頻應用場景使用砷化镓（GaAs）或碳化矽（SiC）材料。晶格缺陷控制精度直接影響反向漏電流和開關速度指标（參考：日本應用物理學會技術白皮書）。

“結晶二極管”可能是“晶體二極管”的筆誤。晶體二極管（Crystal Diode）是一種基于半導體材料（如矽或鍺）的電子元件，具有單向導電特性。以下是詳細解釋：

晶體二極管由P型半導體和N型半導體結合形成PN結，其核心特性是單向導電性。當外加電壓方向與PN結導通方向一緻時，電流可通過；反之則幾乎無電流。

晶體二極管是最早的半導體器件之一，幾乎所有電子電路均會用到。其網絡引申含義可能涉及單向性概念的類比，但技術層面特指上述功能。

如需進一步了解具體型號或電路設計中的應用，可參考電子工程手冊或專業資料。