理想晶體英文解釋翻譯、理想晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 ideal crystal

分詞翻譯：

理想的英語翻譯：

idea; ideal; ideality
【醫】 ideal; ideo-

晶體的英語翻譯：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

理想晶體（Ideal Crystal）在材料科學和固體物理學中是一個核心概念，指一種理論上完美的晶體結構模型。以下是基于權威來源的詳細解釋：

一、術語定義

漢語釋義：理想晶體指原子、離子或分子在三維空間嚴格按照周期性點陣排列，不存在任何缺陷（如空位、位錯、雜質等）的完美晶體結構。
英文對應：Ideal Crystal（或Perfect Crystal），強調其理論上的完整性與規則性。來源：國際晶體學聯合會（IUCr）術語庫。

二、核心科學特征

無限周期性
原子排列具有嚴格的空間平移對稱性，晶格中任一位置的結構均可通過基矢平移重複生成。此特性是布洛赫波函數和能帶理論的基礎。

零缺陷密度
與真實晶體不同，理想晶體假設不存在：
- 點缺陷（空位、間隙原子）
- 線缺陷（位錯）
- 面缺陷（晶界、堆垛層錯）
  來源：材料科學經典教材《Introduction to Solid State Physics》（Kittel著）。

三、理論意義與應用

基準模型作用：作為實際晶體研究的參照系，幫助量化缺陷對材料性能（如導電性、機械強度）的影響。
計算模拟基礎：第一性原理計算（如密度泛函理論）常以理想晶體作為初始結構進行能帶和電子态分析。
熱力學極限：理想晶體在絕對零度下的熵為零，是熱力學第三定律的微觀體現。

四、與真實晶體的區别

特性	理想晶體	真實晶體
結構完整性	完美周期性	存在缺陷和畸變
存在條件	理論模型	自然界/實驗室可制備
能量狀态	内能最低（理論值）	因缺陷導緻能量略高

權威來源：美國國家标準與技術研究院（NIST）材料數據庫指出，實際晶體因制備工藝必然偏離理想狀态，但其概念對理解X射線衍射圖譜和半導體器件設計至關重要。

五、典型應用場景

X射線衍射分析：理想晶體的衍射斑點符合布拉格方程 $nlambda = 2dsintheta$，而實際晶體的衍射峰寬化反映缺陷存在。
半導體材料設計：矽晶圓制備中通過控制缺陷接近理想結構，以優化電子遷移率。

參考文獻來源

International Union of Crystallography (IUCr). Crystallographic Terminology.
Ashcroft, N.W., Mermin, N.D. Solid State Physics. (能帶理論章節)
Kittel, C. Introduction to Solid State Physics (第8版).
National Institute of Standards and Technology (NIST). Materials Data Handbook.

網絡擴展解釋

理想晶體是指一種理論上的完美晶體模型，其原子、離子或分子在三維空間中嚴格按照周期性規則排列，不存在任何結構缺陷。以下是詳細解釋：

1.結構特征

嚴格周期性：原子或分子在晶格結點上完全規則排列，形成無限重複的空間點陣結構。
外形規則性：具有幾何多面體形态，晶面平整、棱線筆直，同一單形的晶面大小和形狀一緻（如理想狀态下的水晶）。

2.物理性質

均一性：晶體内部各部分的原子排列相同，物理性質均勻。
各向異性：不同方向上的物理性質（如導電性、導熱性、光學性質等）存在差異。
自範性：能自發形成規則幾何外形，但需適當生長速率（如緩慢冷卻的SiO₂形成水晶）。
固定熔點：因結構高度有序，熔化時需吸收特定能量，表現為固定熔點。

3.與實際晶體的區别

實際晶體受生長條件（如溫度變化、雜質混入）或後期環境影響，存在點缺陷（空位、間隙原子）、線缺陷（位錯）和面缺陷（晶界）等結構不完整性。例如，實際金屬多為多晶體，由多個晶粒組成，導緻性能各向同性。

4.理論意義

理想晶體是固體物理學中的簡化模型，用于研究晶體基本性質，而實際晶體需結合缺陷理論分析其真實行為。

理想晶體是結構完美、性質均勻且各向異性的理論模型，而實際晶體因缺陷存在偏離這一理想狀态。