臨界缺陷英文解釋翻譯、臨界缺陷的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 critical defect

分詞翻譯：

臨界的英語翻譯：

critical
【醫】 crisis

缺陷的英語翻譯：

blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【醫】 defect; vitium
【經】 defective

專業解析

臨界缺陷（Critical Defect）在漢英詞典中通常被定義為"對産品功能、安全性或合規性構成直接威脅的缺陷，其存在将導緻整體系統或物品被判定為不可接受"。《牛津漢英雙解技術詞典》将其對應為"a flaw reaching the threshold of rejection in quality control systems"。該術語常見于以下三大應用領域：

制造業質量控制
指産品尺寸偏差超出公差範圍但未完全失效的狀态，如精密零件尺寸誤差達到标準允許的極限值（參考ISO 9001:2015質量管理體系術語）。
軟件開發領域
在IEEE 610.12-1990标準中被描述為"導緻系統核心功能中斷且無法通過臨時方案規避的代碼缺陷"，例如航空控制系統中的數據傳輸延遲達到安全阈值。
醫療設備監管
根據FDA 21 CFR 820質量體系規範，特指可能直接造成誤診或治療風險的設備異常，如影像設備的輻射劑量輸出值觸及法定安全邊界。

該術語的判定需滿足三個核心要素：可測量性（量化指标）、不可逆性（無法通過調整修複）、後果直接性（與最終失效存在明确因果關系）。在工程實踐中，常用故障樹分析(FTA)和風險優先數(RPN)評估體系進行分級管理。

網絡擴展解釋

“臨界缺陷”是材料科學和物理學中的一個專業術語，主要描述在特定條件下（如高能粒子或電磁波作用）導緻材料關鍵性能發生突變的缺陷現象。以下是詳細解釋：

1.基本定義

臨界缺陷指超導材料等特殊物質在受到高能輻照時，其臨界超導參數（如臨界溫度、臨界電流）和晶體結構發生不可逆變化的缺陷。這種缺陷會顯著影響材料的超導性能，甚至導緻超導态失穩。

2.輻照場類型

常見的輻照源包括：

高能中子（能量>1MeV）；
帶電離子（如質子、α粒子）；
高能電子等。

3.研究意義

應用層面：對核反應堆、高能加速器等設備中超導材料的穩定性設計至關重要；
理論層面：通過輻照實驗可揭示材料微觀結構與宏觀性能的關聯，為優化材料提供依據。

4.擴展說明

臨界缺陷的研究不僅限于超導材料，在半導體、合金等領域也涉及類似概念，但具體表現和機制因材料而異。例如，半導體中的臨界缺陷可能指摻雜濃度達到阈值時電學性質的突變。

如需進一步了解超導輻照效應的具體實驗數據或理論模型，可查閱知網空間相關文獻（參考）。