刻蝕抗住英文解釋翻譯、刻蝕抗住的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 resist-etchant

分詞翻譯：

刻蝕的英語翻譯：

【計】 etch

抗的英語翻譯：

contend with; defy; fight; refuse; repel; resist
【醫】 Adv.; contra-; ob-

住的英語翻譯：

house; reside; stop
【法】 householder

專業解析

在半導體制造和微電子加工領域，"刻蝕抗住"（Etch Resistance）指材料在化學或物理刻蝕過程中抵抗腐蝕的能力，是衡量光刻膠或掩膜材料性能的核心指标。該特性直接影響集成電路圖形轉移的精度，對納米級器件的良率具有決定性作用。

根據《微電子工程》期刊的最新研究，優質抗蝕材料在等離子刻蝕環境下的抗住能力需達到每分鐘刻蝕速率低于5納米（$R<5 nm/min$），才能滿足5nm制程需求。這種性能主要取決于材料中的芳香族化合物含量和交聯密度，如化學放大光刻膠（CAR）通過酸催化反應可形成緻密的交聯網絡。

國際半導體技術路線圖（ITRS）數據顯示，先進制程中刻蝕選擇比需維持在30:1以上，即抗蝕材料的刻蝕速率必須顯著低于基底材料。目前行業标杆材料如TOK公司的EPIC系列光刻膠，在極紫外（EUV）光刻中已實現1:50的選擇比。該性能的提升使三維FinFET器件的側壁陡直度達到88°±0.5°的理想角度。

材料科學領域權威著作《半導體制造中的高分子材料》指出，刻蝕抗住能力的量化公式為： $$ eta = frac{t{resist}}{t{substrate}} times 100% $$ 其中$eta$表示抗蝕效率，$t{resist}$和$t{substrate}$分别為抗蝕層與基底的刻蝕時間。現代DUV光刻膠的典型η值需超過95%才能滿足量産要求。

網絡擴展解釋

“刻蝕抗住”是一個專業術語，主要應用于電子工程或半導體制造領域，其含義需要結合具體工藝場景理解：

1. 詞義解析

刻蝕（Etch）：指通過化學或物理方法去除材料表面特定區域的過程，是芯片制造中的關鍵步驟。例如用酸液蝕刻矽片形成電路圖案。
抗住（Resist）：指在刻蝕過程中，某些材料（如光刻膠）能抵抗蝕刻劑的腐蝕作用，保護下層材料不被破壞。

2. 組合含義指在刻蝕工藝中，抗蝕劑（Resist）對蝕刻劑的耐受能力。例如光刻膠在等離子刻蝕中保護矽片表面，使未被曝光區域不被蝕刻。

3. 應用場景常見于集成電路制造流程：

光刻膠塗覆後，通過掩膜曝光形成圖案
抗蝕劑覆蓋區域在刻蝕階段“抗住”蝕刻劑，保留底層材料
最終形成晶體管、導線等微納結構

注：由于該術語權威解釋較少，建議結合具體工藝手冊或參考《半導體制造技術》（作者：施敏）等專業文獻進一步确認。