
【计】 critical defect
critical
【医】 crisis
blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【医】 defect; vitium
【经】 defective
临界缺陷(Critical Defect)在汉英词典中通常被定义为"对产品功能、安全性或合规性构成直接威胁的缺陷,其存在将导致整体系统或物品被判定为不可接受"。《牛津汉英双解技术词典》将其对应为"a flaw reaching the threshold of rejection in quality control systems"。该术语常见于以下三大应用领域:
制造业质量控制
指产品尺寸偏差超出公差范围但未完全失效的状态,如精密零件尺寸误差达到标准允许的极限值(参考ISO 9001:2015质量管理体系术语)。
软件开发领域
在IEEE 610.12-1990标准中被描述为"导致系统核心功能中断且无法通过临时方案规避的代码缺陷",例如航空控制系统中的数据传输延迟达到安全阈值。
医疗设备监管
根据FDA 21 CFR 820质量体系规范,特指可能直接造成误诊或治疗风险的设备异常,如影像设备的辐射剂量输出值触及法定安全边界。
该术语的判定需满足三个核心要素:可测量性(量化指标)、不可逆性(无法通过调整修复)、后果直接性(与最终失效存在明确因果关系)。在工程实践中,常用故障树分析(FTA)和风险优先数(RPN)评估体系进行分级管理。
“临界缺陷”是材料科学和物理学中的一个专业术语,主要描述在特定条件下(如高能粒子或电磁波作用)导致材料关键性能发生突变的缺陷现象。以下是详细解释:
临界缺陷指超导材料等特殊物质在受到高能辐照时,其临界超导参数(如临界温度、临界电流)和晶体结构发生不可逆变化的缺陷。这种缺陷会显著影响材料的超导性能,甚至导致超导态失稳。
常见的辐照源包括:
临界缺陷的研究不仅限于超导材料,在半导体、合金等领域也涉及类似概念,但具体表现和机制因材料而异。例如,半导体中的临界缺陷可能指掺杂浓度达到阈值时电学性质的突变。
如需进一步了解超导辐照效应的具体实验数据或理论模型,可查阅知网空间相关文献(参考)。
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