磷化铟英文解釋翻譯、磷化铟的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯：
【建】 indium phosphide
分詞翻譯：
化的英語翻譯：
burn up; change; convert; melt; spend; turn
铟的英語翻譯：
indium
【醫】 In; indium
專業解析
磷化铟（Indium Phosphide）詳解
一、術語構成與基本釋義
- 磷化（Phosphide）：指磷（Phosphorus）與另一種元素（此處為铟）形成的化合物，後綴“-ide”表示二元化合物。
- 铟（Indium）：一種金屬元素（化學符號 In），位于元素周期表第13族。
- 磷化铟（Indium Phosphide）：指由铟（In）和磷（P）兩種元素按特定化學計量比（通常為1:1）結合形成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料，化學式為InP。
二、材料科學定義與特性
磷化铟是一種重要的直接帶隙半導體晶體材料，具有以下關鍵特性：
- 能帶結構：其室溫下帶隙能量約為1.35 eV，屬于直接帶隙半導體，具有高效的光電轉換效率，特别適合制作發光器件和光探測器。
- 電子遷移率高：InP 具有比砷化镓（GaAs）更高的電子遷移率和飽和電子速度，使其在高頻、高速電子器件（如HEMT、HBT）中性能優異。
- 熱導率與穩定性：具有良好的熱導率和物理化學穩定性，適合高溫、高頻應用環境。
- 光學特性：其發光波長位于近紅外波段（如1550 nm），與光纖通信的低損耗窗口高度匹配，是光通信器件的核心材料。
三、主要應用領域
磷化铟在以下高科技領域具有不可替代的地位：
- 光纖通信：作為激光二極管（LD）和光電探測器（PD）的核心材料，用于高速光通信模塊（如100G/400G/800G光模塊）和數據中心。
- 高頻電子器件：用于制造毫米波射頻器件（如功率放大器、低噪聲放大器），應用于5G/6G基站、衛星通信和雷達系統。
- 光伏與光電集成：在高效太陽能電池（如多結太陽能電池）和光子集成電路（PIC）中作為襯底或活性層材料。
- 量子技術：作為量子點、量子阱結構的基底材料，用于量子計算和量子通信研究。
補充說明
磷化铟通常以單晶襯底（InP substrate）形式使用，其晶格常數與許多重要Ⅲ-Ⅴ族合金（如InGaAs、InAlAs）匹配，可生長高質量外延層，是高端光電子和微電子器件的理想平台。
權威參考來源：
- 化合物半導體材料定義：美國國家标準與技術研究院（NIST）材料數據庫 。
- 磷化铟物理特性與能帶數據：《半導體材料手冊》（Semiconductor Material and Device Characterization），Dieter K. Schroder, Wiley 。
- 光通信應用：國際光電工程學會（SPIE）期刊 Optical Engineering 。
- 高頻器件研究：IEEE 電子器件彙刊（IEEE Transactions on Electron Devices）。
- 量子技術應用綜述：《自然·材料》（Nature Materials）"III-V量子材料進展"專題 。
網絡擴展解釋
磷化铟（InP）是一種由磷（P）和铟（In）組成的III-V族化合物半導體材料，具有獨特的物理和化學性質，廣泛應用于光電領域。以下是詳細解釋：
一、基本屬性
-
化學組成與結構
化學式為InP，晶體結構為閃鋅礦型（立方晶系），屬于直接帶隙半導體，禁帶寬度約1.34 eV（常溫下）。
-
物理特性
- 熔點：約1070°C
- 密度：4.787 g/cm³
- 電子遷移率高（3000–4500 cm²/(V·s)），導熱性好。
二、核心優勢
- 光電性能優異：直接帶隙結構使其發光效率高，適合制造激光器和光探測器。
- 高頻特性突出：電子飽和漂移速度高，適用于毫米波射頻器件。
- 抗輻射能力強：適合航天器等極端環境應用。
三、主要應用領域
- 光通信：制造光纖通信中的光源（如激光二極管）和接收器。
- 高頻電子器件：用于5G通信、雷達系統的射頻元件。
- 光電集成電路：集成激光器、調制器等有源器件。
- 太陽能電池：外層空間用高效抗輻射電池。
四、注意事項
根據世界衛生組織國際癌症研究機構（IARC）評估，磷化铟被列為2A類緻癌物（可能對人類緻癌），需注意生産和使用中的安全防護。
如需進一步了解制備工藝或研究進展，可參考相關專業文獻或行業報告。
分類
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