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磷化铟英文解释翻译、磷化铟的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【建】 indium phosphide

分词翻译:

化的英语翻译:

burn up; change; convert; melt; spend; turn

铟的英语翻译:

indium
【医】 In; indium

专业解析

磷化铟(Indium Phosphide)详解

一、术语构成与基本释义

二、材料科学定义与特性

磷化铟是一种重要的直接带隙半导体晶体材料,具有以下关键特性:

  1. 能带结构:其室温下带隙能量约为1.35 eV,属于直接带隙半导体,具有高效的光电转换效率,特别适合制作发光器件和光探测器。
  2. 电子迁移率高:InP 具有比砷化镓(GaAs)更高的电子迁移率和饱和电子速度,使其在高频、高速电子器件(如HEMT、HBT)中性能优异。
  3. 热导率与稳定性:具有良好的热导率和物理化学稳定性,适合高温、高频应用环境。
  4. 光学特性:其发光波长位于近红外波段(如1550 nm),与光纤通信的低损耗窗口高度匹配,是光通信器件的核心材料。

三、主要应用领域

磷化铟在以下高科技领域具有不可替代的地位:

  1. 光纤通信:作为激光二极管(LD)和光电探测器(PD)的核心材料,用于高速光通信模块(如100G/400G/800G光模块)和数据中心。
  2. 高频电子器件:用于制造毫米波射频器件(如功率放大器、低噪声放大器),应用于5G/6G基站、卫星通信和雷达系统。
  3. 光伏与光电集成:在高效太阳能电池(如多结太阳能电池)和光子集成电路(PIC)中作为衬底或活性层材料。
  4. 量子技术:作为量子点、量子阱结构的基底材料,用于量子计算和量子通信研究。

补充说明

磷化铟通常以单晶衬底(InP substrate)形式使用,其晶格常数与许多重要Ⅲ-Ⅴ族合金(如InGaAs、InAlAs)匹配,可生长高质量外延层,是高端光电子和微电子器件的理想平台。


权威参考来源:

  1. 化合物半导体材料定义:美国国家标准与技术研究院(NIST)材料数据库 。
  2. 磷化铟物理特性与能带数据:《半导体材料手册》(Semiconductor Material and Device Characterization),Dieter K. Schroder, Wiley 。
  3. 光通信应用:国际光电工程学会(SPIE)期刊 Optical Engineering
  4. 高频器件研究:IEEE 电子器件汇刊(IEEE Transactions on Electron Devices)。
  5. 量子技术应用综述:《自然·材料》(Nature Materials)"III-V量子材料进展"专题 。

网络扩展解释

磷化铟(InP)是一种由磷(P)和铟(In)组成的III-V族化合物半导体材料,具有独特的物理和化学性质,广泛应用于光电领域。以下是详细解释:

一、基本属性

  1. 化学组成与结构
    化学式为InP,晶体结构为闪锌矿型(立方晶系),属于直接带隙半导体,禁带宽度约1.34 eV(常温下)。

  2. 物理特性

    • 熔点:约1070°C
    • 密度:4.787 g/cm³
    • 电子迁移率高(3000–4500 cm²/(V·s)),导热性好。

二、核心优势

三、主要应用领域

  1. 光通信:制造光纤通信中的光源(如激光二极管)和接收器。
  2. 高频电子器件:用于5G通信、雷达系统的射频元件。
  3. 光电集成电路:集成激光器、调制器等有源器件。
  4. 太阳能电池:外层空间用高效抗辐射电池。

四、注意事项

根据世界卫生组织国际癌症研究机构(IARC)评估,磷化铟被列为2A类致癌物(可能对人类致癌),需注意生产和使用中的安全防护。

如需进一步了解制备工艺或研究进展,可参考相关专业文献或行业报告。

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