基極展開電阻英文解釋翻譯、基極展開電阻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 base spreading resistance

分詞翻譯：

基極的英語翻譯：

【計】 B
【化】 base

展開的英語翻譯：

spread; unfold; deploy; evolve; open; carry out; splay; stream
【計】 deployment; expand; spread
【化】 development

電阻的英語翻譯：

resistance
【計】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【醫】 resistance

專業解析

基極展開電阻（Base Spreading Resistance）是雙極結型晶體管（BJT）中的一個重要電學參數，指從晶體管基極端子到基區内有效發射結區域之間的等效電阻。其英文術語為Base Spreading Resistance，有時也稱為基區電阻（Base Resistance），符號通常記為r_b 或r_bb'（其中 b' 表示基區内的等效内部節點）。

核心概念解析

物理本質
該電阻源于基區材料的體電阻特性。由于基區存在一定厚度和寬度，電流從外部基極端子流入後，需橫向流經基區薄層才能到達發射結正下方（有效工作區域），半導體材料固有的電阻率導緻了電阻的産生。其值主要取決于基區摻雜濃度、幾何尺寸（寬度、厚度）及載流子遷移率。
電路模型意義
在晶體管小信號混合π模型中，基極展開電阻（rbb'）串聯在外部基極端（b）與内部有效基區節點（b'）之間，直接影響高頻增益和噪聲性能。其值可通過下式估算：

$$ r{bb'} approx frac{rho_b cdot W_b}{L_b cdot t_b} $$

其中，ρ_b 為基區電阻率，W_b 為基區寬度，L_b 為基區長度，t_b 為基區厚度。
工程影響
- 高頻特性：r_bb' 與結電容構成低通濾波，限制晶體管最高工作頻率（f_T），是高頻放大器的關鍵瓶頸。
- 噪聲系數：熱噪聲電壓（4kTr_bb'Δf）隨 r_bb' 增大而升高，降低低噪聲放大器性能。
- 功率損耗：大電流下基極電流流經 r_bb' 産生焦耳熱，可能引發局部溫升與電流集中效應（熱斑）。

設計考量與優化

現代高頻晶體管通過重摻雜基區（降低 ρ_b）、自對準工藝（縮小 W_b）及異質結設計（如 SiGe HBT）顯著降低 r_bb'。典型值範圍：

矽 BJT：10–500 Ω
SiGe HBT：5–50 Ω
GaAs HBT：1–20 Ω

權威參考來源

半導體器件物理經典著作
S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices（3rd ed.）, Wiley, 2007. 第7章詳細分析BJT基區電阻模型。

參見：Wiley線上圖書館 ISBN 978-0-471-14323-9
IEEE标準術語定義
IEEE Std 255-1963, Letter Symbols for Semiconductor Devices 明确 r_bb' 為基區擴展電阻符號。

參見：IEEE Xplore文獻平台 DOI 10.1109/IEEESTD.1963.4310805
集成電路設計指南
B. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, McGraw-Hill, 2017. 第5章讨論 r_bb' 對放大器頻率響應的量化影響。

參見：McGraw-Hill教育平台 ISBN 978-0-07-252493-2

網絡擴展解釋

基極展開電阻是晶體三極管中的一個重要參數，特指基極電流路徑中因載流子複合分布不均導緻的等效電阻。以下是詳細解釋：

1. 基本定義

基極展開電阻（r_b）由兩部分組成：

基極體電阻：半導體材料本身的電阻
引線電阻：電極引線金屬材料的電阻其特殊性在于，由于載流子複合位置不同導緻電阻率分布不均，形成非均勻電阻結構。

2. 物理成因

當發射極注入的少數載流子向集電極運動時：

部分載流子會與基極多數載流子複合
複合位置沿基區橫向分布不同
不同位置的半導體電阻率存在差異這種空間分布特性使電阻呈現"展開"特征，類似分布式電阻網絡。

3. 對晶體管的影響

該電阻會引起：

基極電流在電阻上的壓降
産生負反饋效應
降低放大系數（電壓/電流/功率）
影響高頻特性

4. 工程意義

在電路設計中需要考慮：

輸入阻抗計算
頻率響應優化
熱穩定性設計其值通常在幾十到幾百歐姆之間，具體取決于半導體材料與結構工藝。

（注：相關概念可參考《電子技術》1964年08期對基極電阻的經典論述）