變容二極管英文解釋翻譯、變容二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 variode

分詞翻譯：

變的英語翻譯：

become; change
【醫】 meta-; pecilo-; poecil-; poikilo-

容的英語翻譯：

allow; appearance; contain; hold; looks; tolerate

二極管的英語翻譯：

diode
【化】 diode

專業解析

變容二極管（Varactor Diiode）是一種利用PN結電容特性實現電壓控制的可變電容半導體器件，其英文全稱為Voltage-Controlled Capacitor Diode或Tuning Diode。該器件通過反向偏置電壓改變耗盡層寬度，從而調節結電容值，這一特性使其在射頻電路設計中具有重要作用。

核心特性與工作原理

非線性電容特性：結電容（Cj）與反向偏置電壓（Vr）呈反比關系，遵循公式： $$ Cj = frac{C{j0}}{(1 + frac{V_r}{V0})^n} $$ 其中$C{j0}$為零偏壓電容，$V_0$為接觸電勢，$n$為結梯度系數（突變結n≈0.5，超突變結n>0.5）。
品質因數（Q值）：高頻應用時需關注Q=1/(2πfCjRs)，其中Rs為串聯電阻，該參數直接影響調諧回路的損耗。

典型應用場景

壓控振蕩器（VCO）頻率調節（如手機基站頻率合成器）
電視調諧器自動頻率微調
相位鎖定環路（PLL）中的動态補償
微波頻段參量放大器

選型關鍵參數

參數	典型範圍	影響維度
電容比（Cmax/Cmin）	3:1 - 15:1	調諧範圍
反向擊穿電壓	15-60V	工作電壓上限
截止頻率（fT）	1-100GHz	高頻適用性

設計注意事項

溫度系數需匹配系統要求，超突變結器件溫度穩定性優于普通類型
避免正向偏置導緻載流子注入引發的Q值劣化
封裝寄生電感（約0.5-2nH）在GHz頻段會顯著影響阻抗特性

（參考來源：IEEE Electron Devices Society技術文檔、Keysight Technologies元件參數手冊）

網絡擴展解釋

變容二極管（Varactor Diode）是一種利用PN結電容隨反向偏置電壓變化而改變特性的半導體器件，主要用于高頻電路中的頻率調節和信號處理。以下是其核心要點：

1.定義與原理

基本結構：基于PN結設計，反向偏置時，耗盡層寬度隨電壓變化，導緻結電容改變。這種電容與反向電壓的平方根或更高次方成反比。
數學關系：電容與電壓的關系可近似表示為： $$ C_j = frac{C_0}{(1 + V_R/V_0)^n} $$ 其中，(C_0)為零偏壓電容，(V_R)為反向電壓，(V_0)為接觸電勢，(n)為材料系數（通常為0.3~0.5）。

2.主要參數

關鍵指标：零偏結電容、電容變化範圍、反向擊穿電壓、截止頻率（決定高頻性能）。
材料：常用矽（Si）或砷化镓（GaAs），後者高頻性能更優。

3.核心功能

電容可調：通過調節反向電壓實現電容值的連續變化，範圍可達幾皮法至數百皮法。
高頻應用：適用于射頻電路，如調諧、濾波、振蕩等場景。

4.典型應用

調諧電路：收音機、電視機的頻道選擇通過改變電壓調整諧振頻率。
頻率合成器：與電感配合實現壓控振蕩器（VCO），用于通信系統。
跳頻濾波器：通過電壓控制濾波器中心頻率，適應多頻段需求。

5.與其他二極管的區别

正向特性：正向偏置時類似普通二極管，但主要工作在反向偏置狀态。
理想二極管對比：理想二極管追求零壓降導通，而變容二極管專注于電容可控性。

擴展閱讀：更多技術細節可參考搜狗百科、漢典等權威來源。