变容二极管英文解释翻译、变容二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 variode

分词翻译：

变的英语翻译：

become; change
【医】 meta-; pecilo-; poecil-; poikilo-

容的英语翻译：

allow; appearance; contain; hold; looks; tolerate

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

变容二极管（Varactor Diiode）是一种利用PN结电容特性实现电压控制的可变电容半导体器件，其英文全称为Voltage-Controlled Capacitor Diode或Tuning Diode。该器件通过反向偏置电压改变耗尽层宽度，从而调节结电容值，这一特性使其在射频电路设计中具有重要作用。

核心特性与工作原理

非线性电容特性：结电容（Cj）与反向偏置电压（Vr）呈反比关系，遵循公式： $$ Cj = frac{C{j0}}{(1 + frac{V_r}{V0})^n} $$ 其中$C{j0}$为零偏压电容，$V_0$为接触电势，$n$为结梯度系数（突变结n≈0.5，超突变结n>0.5）。
品质因数（Q值）：高频应用时需关注Q=1/(2πfCjRs)，其中Rs为串联电阻，该参数直接影响调谐回路的损耗。

典型应用场景

压控振荡器（VCO）频率调节（如手机基站频率合成器）
电视调谐器自动频率微调
相位锁定环路（PLL）中的动态补偿
微波频段参量放大器

选型关键参数

参数	典型范围	影响维度
电容比（Cmax/Cmin）	3:1 - 15:1	调谐范围
反向击穿电压	15-60V	工作电压上限
截止频率（fT）	1-100GHz	高频适用性

设计注意事项

温度系数需匹配系统要求，超突变结器件温度稳定性优于普通类型
避免正向偏置导致载流子注入引发的Q值劣化
封装寄生电感（约0.5-2nH）在GHz频段会显著影响阻抗特性

（参考来源：IEEE Electron Devices Society技术文档、Keysight Technologies元件参数手册）

网络扩展解释

变容二极管（Varactor Diode）是一种利用PN结电容随反向偏置电压变化而改变特性的半导体器件，主要用于高频电路中的频率调节和信号处理。以下是其核心要点：

1.定义与原理

基本结构：基于PN结设计，反向偏置时，耗尽层宽度随电压变化，导致结电容改变。这种电容与反向电压的平方根或更高次方成反比。
数学关系：电容与电压的关系可近似表示为： $$ C_j = frac{C_0}{(1 + V_R/V_0)^n} $$ 其中，(C_0)为零偏压电容，(V_R)为反向电压，(V_0)为接触电势，(n)为材料系数（通常为0.3~0.5）。

2.主要参数

关键指标：零偏结电容、电容变化范围、反向击穿电压、截止频率（决定高频性能）。
材料：常用硅（Si）或砷化镓（GaAs），后者高频性能更优。

3.核心功能

电容可调：通过调节反向电压实现电容值的连续变化，范围可达几皮法至数百皮法。
高频应用：适用于射频电路，如调谐、滤波、振荡等场景。

4.典型应用

调谐电路：收音机、电视机的频道选择通过改变电压调整谐振频率。
频率合成器：与电感配合实现压控振荡器（VCO），用于通信系统。
跳频滤波器：通过电压控制滤波器中心频率，适应多频段需求。

5.与其他二极管的区别

正向特性：正向偏置时类似普通二极管，但主要工作在反向偏置状态。
理想二极管对比：理想二极管追求零压降导通，而变容二极管专注于电容可控性。

扩展阅读：更多技术细节可参考搜狗百科、汉典等权威来源。