结晶二极管英文解释翻译、结晶二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 crystal diode

crystal; crystallization; crystallize
【化】 crystallization
【医】 Crys.; crystal; crystallization

diode
【化】 diode

结晶二极管（Crystal Diode）是一种基于半导体晶体材料制成的电子器件，其核心结构为PN结，具有单向导电特性。以下是其专业术语解析及技术内涵：

术语定义与结构特征
结晶二极管由掺杂的P型（空穴导电）和N型（电子导电）半导体晶体通过合金或扩散工艺结合形成，英文对应"Crystal Diode"或"Semiconductor Junction Diode"。该结构在正向偏置时导通电流，反向偏置时阻断电流（参考：Springer《半导体器件物理》）。
物理机制与性能参数
其工作原理基于载流子扩散与耗尽层电场平衡，关键参数包含正向压降（0.3V-0.7V）、反向击穿电压（5V-2000V）及结电容（pF级）。理论模型可表述为肖克利方程：

$$ I = I_s(e^{frac{V}{eta V_T}} - 1) $$

其中$I_s$为饱和电流，$eta$为理想因子，$V_T$为热电压（来源：IEEE Xplore电子器件学报）。
应用场景与技术演进
自1940年贝尔实验室开发首个点接触锗二极管以来，该器件广泛应用于整流电路（如电源适配器）、射频检波（如AM收音机）、静电防护（TVS管）及数字逻辑电路。现代变体包括肖特基二极管（低导通损耗）和齐纳二极管（稳压特性）（引自《电子工程手册》第7版）。
制造工艺与材料体系
主流采用硅单晶片通过光刻、离子注入工艺制造，高频应用场景使用砷化镓（GaAs）或碳化硅（SiC）材料。晶格缺陷控制精度直接影响反向漏电流和开关速度指标（参考：日本应用物理学会技术白皮书）。

“结晶二极管”可能是“晶体二极管”的笔误。晶体二极管（Crystal Diode）是一种基于半导体材料（如硅或锗）的电子元件，具有单向导电特性。以下是详细解释：

晶体二极管由P型半导体和N型半导体结合形成PN结，其核心特性是单向导电性。当外加电压方向与PN结导通方向一致时，电流可通过；反之则几乎无电流。

晶体二极管是最早的半导体器件之一，几乎所有电子电路均会用到。其网络引申含义可能涉及单向性概念的类比，但技术层面特指上述功能。

如需进一步了解具体型号或电路设计中的应用，可参考电子工程手册或专业资料。