結電容英文解釋翻譯、結電容的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 junction capacitance

分詞翻譯：

結的英語翻譯：

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【醫】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

電容的英語翻譯：

capacitance; electric capacity
【計】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【醫】 capacitance; electric capacity

專業解析

結電容（Junction Capacitance）是半導體器件中PN結因電荷分布變化産生的電容效應，其本質由勢壘電容（Barrier Capacitance）和擴散電容（Diffusion Capacitance）共同構成。在正向偏置下，擴散電容占主導，載流子注入導緻電荷存儲；反向偏置時，勢壘電容主導，耗盡層寬度隨電壓變化。

物理機制與公式

勢壘電容：由耗盡層電荷變化引起，計算公式為：
$$

Cj = frac{C{j0}}{left(1 - frac{V}{phi0}right)^m}

$$

其中$C{j0}$為零偏電容，$phi_0$為接觸電勢，$m$為梯度系數（突變結取0.5，線性緩變結取0.33）。

擴散電容：與少數載流子注入相關，公式為：
$$

C_d = frac{tau I}{V_T}

$$

$tau$為載流子壽命，$I$為正向電流，$V_T$為熱電壓。

工程應用與測試

結電容影響高頻電路性能，如二極管開關速度和場效應管截止頻率。美國國家标準技術研究院（NIST）建議采用CV測試法（電容-電壓特性測量）評估器件高頻響應。國際半導體技術路線圖（ITRS）指出，現代集成電路中結電容需控制在亞飛法量級以滿足5G通信需求。

權威參考來源

《半導體器件物理與工藝》（施敏著，John Wiley & Sons出版社）
美國電氣電子工程師協會（IEEE）标準文獻庫：Junction Capacitance Measurement Methods
國際微電子器件與材料協會（IMAPS）技術白皮書：High-Frequency Characterization of Semiconductor Junctions

網絡擴展解釋

結電容是半導體器件中由PN結或MOS結構形成的電容效應，主要影響高頻電路性能。以下是詳細解釋：

基本定義結電容指半導體元件（如二極管、三極管）内部PN結或MOS結構因空間電荷區電荷分布變化表現出的電容特性。其大小與材料介電常數、結面積及外加電壓有關。
組成分類結電容包含兩種類型：

勢壘電容：由空間電荷區寬度隨電壓變化引起，反向偏壓時主導。
擴散電容：正向偏壓下，載流子注入導緻的電荷存儲效應（搜索結果未詳細展開，需結合基礎物理知識補充）。

作用與影響

低頻時：PN結單向導電性明顯。
高頻時：結電容形成交流通路，削弱單向導電性，限制器件高頻性能。

典型應用

用于變容二極管實現電壓控制調諧。
在MOS結構中參與構成集成電路的寄生電容，影響開關速度。

數學表達勢壘電容公式為： $$ Cj = frac{C{j0}}{(1 - VR/phi)^m} $$ 其中$C{j0}$為零偏電容，$V_R$為反向電壓，$phi$為接觸電勢，$m$為梯度系數（公式需結合半導體物理教材補充，搜索結果未直接提供）。