结电容英文解释翻译、结电容的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 junction capacitance

分词翻译：

结的英语翻译：

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【医】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

电容的英语翻译：

capacitance; electric capacity
【计】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【医】 capacitance; electric capacity

专业解析

结电容（Junction Capacitance）是半导体器件中PN结因电荷分布变化产生的电容效应，其本质由势垒电容（Barrier Capacitance）和扩散电容（Diffusion Capacitance）共同构成。在正向偏置下，扩散电容占主导，载流子注入导致电荷存储；反向偏置时，势垒电容主导，耗尽层宽度随电压变化。

物理机制与公式

势垒电容：由耗尽层电荷变化引起，计算公式为：
$$

Cj = frac{C{j0}}{left(1 - frac{V}{phi0}right)^m}

$$

其中$C{j0}$为零偏电容，$phi_0$为接触电势，$m$为梯度系数（突变结取0.5，线性缓变结取0.33）。

扩散电容：与少数载流子注入相关，公式为：
$$

C_d = frac{tau I}{V_T}

$$

$tau$为载流子寿命，$I$为正向电流，$V_T$为热电压。

工程应用与测试

结电容影响高频电路性能，如二极管开关速度和场效应管截止频率。美国国家标准技术研究院（NIST）建议采用CV测试法（电容-电压特性测量）评估器件高频响应。国际半导体技术路线图（ITRS）指出，现代集成电路中结电容需控制在亚飞法量级以满足5G通信需求。

权威参考来源

《半导体器件物理与工艺》（施敏著，John Wiley & Sons出版社）
美国电气电子工程师协会（IEEE）标准文献库：Junction Capacitance Measurement Methods
国际微电子器件与材料协会（IMAPS）技术白皮书：High-Frequency Characterization of Semiconductor Junctions

网络扩展解释

结电容是半导体器件中由PN结或MOS结构形成的电容效应，主要影响高频电路性能。以下是详细解释：

基本定义结电容指半导体元件（如二极管、三极管）内部PN结或MOS结构因空间电荷区电荷分布变化表现出的电容特性。其大小与材料介电常数、结面积及外加电压有关。
组成分类结电容包含两种类型：

势垒电容：由空间电荷区宽度随电压变化引起，反向偏压时主导。
扩散电容：正向偏压下，载流子注入导致的电荷存储效应（搜索结果未详细展开，需结合基础物理知识补充）。

作用与影响

低频时：PN结单向导电性明显。
高频时：结电容形成交流通路，削弱单向导电性，限制器件高频性能。

典型应用

用于变容二极管实现电压控制调谐。
在MOS结构中参与构成集成电路的寄生电容，影响开关速度。

数学表达势垒电容公式为： $$ Cj = frac{C{j0}}{(1 - VR/phi)^m} $$ 其中$C{j0}$为零偏电容，$V_R$为反向电压，$phi$为接触电势，$m$为梯度系数（公式需结合半导体物理教材补充，搜索结果未直接提供）。