間隙缺陷英文解釋翻譯、間隙缺陷的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 interstitial defect

分詞翻譯：

間隙的英語翻譯：

clear; clearance; gap; interval; space
【化】 back lash; clearance; gap; play; slack
【醫】 clearance; diastem; diastema; interspace; space; spatia; spatium

缺陷的英語翻譯：

blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【醫】 defect; vitium
【經】 defective

專業解析

間隙缺陷（Interstitial Defect）是材料科學中的重要概念，指晶體結構中原子脫離正常晶格位置，進入晶格間隙（空隙）形成的點缺陷。以下是漢英雙解視角的詳細解釋：

一、漢英術語定義

中文：間隙缺陷
指晶體中外來原子或自身原子嵌入晶格間隙位置，導緻局部晶格畸變的現象。

英文：Interstitial Defect
An atomic imperfection where an atom occupies aninterstitial site (space between regular lattice positions), distorting the crystal structure.

二、核心特征與形成機制

間隙原子來源
- 外來原子（如碳、氮等小半徑原子嵌入金屬晶格）
- 自身原子因熱振動或輻照脫離原位，擠入間隙（如矽晶體中的自間隙原子）
結構影響
- 導緻周圍晶格彈性畸變，增大材料内能
- 與空位（Vacancy Defect）共同構成點缺陷的主要類型，但間隙原子尺寸需小于晶格間隙（如BCC金屬中常見）

三、與空位缺陷的對比

特征	間隙缺陷	空位缺陷
原子位置	原子位于晶格間隙	晶格位置缺失原子
形成能	較高（需克服晶格擠壓能壘）	較低
對密度影響	略微增加密度	略微降低密度
常見材料	碳鋼（C原子嵌入Fe晶格）	高溫金屬、半導體

四、實際影響與應用

材料性能
- 強化機制：間隙原子（如鋼中的C/N）釘紮位錯，提升硬度和強度（固溶強化）
- 擴散行為：加速原子擴散路徑，影響熱處理工藝（如滲碳）
半導體領域
- 矽中的自間隙原子可能形成複合缺陷，改變電導率

權威參考文獻

Callister, W. D., & Rethwisch, D. G. Materials Science and Engineering: An Introduction（材料科學與工程基礎）
Kittel, C. Introduction to Solid State Physics（固體物理導論）
馮端, 師昌緒. 《材料科學基礎》. 科學出版社.

（注：因搜索結果未提供可驗證鍊接，此處僅标注經典教材來源以确保權威性。）

網絡擴展解釋

間隙缺陷是材料科學和晶體學中的概念，指晶體結構中原子或離子脫離正常晶格位置進入間隙位置形成的結構缺陷。具體解釋如下：

基本定義
當體積較小的原子或離子進入晶格間隙時，會形成間隙缺陷。例如在AgCl晶體中，銀離子（Ag⁺）可能占據間隙位置，記作$text{Ag}_i^·$，其中下标$i$表示間隙位置，右上角符號表示有效電荷（此處為+1）。
符號表示規則
間隙缺陷的符號格式為$M_i^{c}$，其中：
- $M$：間隙原子種類（如Ag、Ni等）
- $i$：表示間隙位置
- $c$：有效電荷（正電荷用$cdot$，負電荷用$'$，多個電荷疊加表示）
形成條件
主要發生在晶體含有尺寸較小的原子或離子時，例如：
- 金屬晶體中碳原子進入鐵晶格間隙形成奧氏體
- 離子晶體中半徑較小的Li⁺進入TiO₂晶格間隙
相關概念區分
- 段差：模具加工中的匹配偏差，與材料缺陷無關
- 隙缺：泛指一般性缺陷或不完備狀态，不特指晶體結構

這類缺陷會顯著影響材料的導電性、機械強度等性質，是半導體和合金設計中的重要研究内容。