本征缺陷英文解釋翻譯、本征缺陷的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 intrinsic defect; native defect

分詞翻譯：

本的英語翻譯：

the root of a plant; this
【機】 aetioporphyrin

征的英語翻譯：

ask for; go on a campaign; go on a journey; levy; sign
【醫】 sign; signe; signum

缺陷的英語翻譯：

blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【醫】 defect; vitium
【經】 defective

專業解析

本征缺陷（Intrinsic Defect）的漢英詞典解釋

在材料科學與半導體物理領域，本征缺陷（Intrinsic Defect）指晶體結構中由材料自身固有屬性（如熱力學平衡）引起的原子排列缺陷，不依賴外來雜質或外部條件。其英文對應術語為"intrinsic defect" 或"native defect"。

核心概念解析

定義與形成機制
本征缺陷是晶體在熱平衡狀态下自發形成的點缺陷，主要類型包括：
- 空位（Vacancy）：晶格中原子缺失的位置；
- 間隙原子（Interstitial atom）：原子擠入晶格間隙；
- 反位缺陷（Antisite defect）：化合物晶體中不同元素原子占據彼此位置（如GaAs中Ga原子占As位）。
  這些缺陷源于原子熱振動導緻的能量起伏，符合熵增原理。
與雜質缺陷的區别
本征缺陷區别于由摻雜或污染引入的雜質缺陷（Extrinsic Defect）。例如，矽晶體中的磷原子摻雜屬于雜質缺陷，而矽原子空位是本征缺陷。

特征與影響

熱力學主導：濃度由溫度決定，遵循阿倫尼烏斯公式：
$$

C = C_0 expleft(-frac{E_f}{k_B T}right)

$$

其中 (E_f) 為缺陷形成能，(k_B) 為玻爾茲曼常數。

電學性質：在半導體中可充當施主/受主能級，影響載流子濃度（如GaAs中的砷空位受主行為）。

權威參考來源

教材定義

"本征缺陷是純淨晶體中因熱力學平衡必然存在的缺陷。" —— 《材料科學基礎》（ISBN 978-7-04-050673-5），高等教育出版社。
國際标準
國際純粹與應用化學聯合會（IUPAC）将本征缺陷歸類為"非化學計量缺陷"，區别于雜質引入的缺陷（Compendium of Chemical Terminology, Gold Book, 2019）。

引用來源

Introduction to Solid State Physics (Charles Kittel, Wiley)
Semiconductor Material and Device Characterization (Dieter K. Schroder, Wiley)
Thermodynamics in Materials Science (Robert DeHoff, CRC Press)

網絡擴展解釋

“本征缺陷”是材料科學中的術語，指晶體内部因自身原子排列異常形成的缺陷，不依賴外來雜質。以下是詳細解釋：

1.定義與形成原因

本征缺陷是晶體在熱力學平衡條件下，由組成晶體的原子（或離子）自身熱運動引起的點缺陷。這類缺陷的産生與溫度密切相關，溫度升高時原子熱振動加劇，可能脫離原位置形成空位或間隙原子。

2.主要類型

本征缺陷分為兩類（參考）：

肖特基缺陷（Schottky Defect）：晶體表面或内部的原子遷移到其他位置，形成成對的空位（如正負離子空位同時産生），導緻晶體體積增大。
弗蘭克缺陷（Frenkel Defect）：原子離開原位置進入晶格間隙，形成空位和間隙原子共存的狀态，晶體體積變化較小。

3.典型例子

純矽或鍺晶體中，高溫下部分原子脫離晶格結點形成空位。
離子晶體（如NaCl）中，Cl⁻或Na⁺離子空位的成對出現屬于肖特基缺陷。

4.與其他缺陷的對比

雜質缺陷：由外來原子引入，如摻雜半導體中的硼或磷原子。
電子缺陷：由能帶結構變化引起，如半導體中的電子-空穴對。

5.影響與應用

本征缺陷會改變晶體的導電性、光學性質及機械性能。例如，半導體材料中本征缺陷的熱激發是導電的基礎；而陶瓷材料中的空位可能影響離子遷移率。

本征缺陷是晶體固有屬性，區别于雜質缺陷，其類型和濃度受溫度調控，對材料性能有重要影響。