本質半導體英文解釋翻譯、本質半導體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 extrinsic semiconductor

分詞翻譯：

本質的英語翻譯：

essence; genius; inbeing; essentiality; substance
【醫】 entity

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

專業解析

本質半導體（Intrinsic Semiconductor）指純淨且結構完整的半導體材料，其電學特性僅由材料本身的本征性質決定，不依賴任何雜質或缺陷。以下是詳細解釋：

一、核心定義與特性

純淨性
本質半導體由單一元素（如矽、鍺）或化合物（如砷化镓）構成，晶體中不含故意摻雜的雜質原子。其載流子（電子與空穴）僅由熱激發産生，濃度由能帶結構和溫度決定。

載流子濃度公式：

$$ n_i = sqrt{N_c N_v}e^{-E_g/(2kT)} $$

其中 (n_i) 為本征載流子濃度，(E_g) 為禁帶寬度，(k) 為玻爾茲曼常數。
電中性平衡
在熱平衡狀态下，電子濃度（(n_0)）與空穴濃度（(p_0)）相等，即 (n_0 = p_0 = n_i)，材料整體保持電中性。

二、關鍵物理機制

熱激發：價帶電子獲得熱能後躍遷至導帶，形成自由電子和價帶空穴。
複合：導帶電子與價帶空穴相遇後釋放能量，恢複共價鍵結構。
兩種過程動态平衡時，載流子濃度穩定。

三、典型材料與參數

材料	禁帶寬度（eV）	300K時 (n_i) (cm⁻³)
矽（Si）	1.12	(1.5 times 10^{10})
鍺（Ge）	0.66	(2.4 times 10^{13})
砷化镓（GaAs）	1.43	(2.1 times 10)

數據來源：半導體物理标準教材

四、同義詞與相關概念

同義詞：本征半導體（Intrinsic Semiconductor）
對立概念：摻雜半導體（Extrinsic Semiconductor），其導電性由雜質原子控制。

五、應用場景

本質半導體是研究半導體基礎理論的理想模型，實際器件中需通過摻雜調控電導率。其在高溫傳感器、本征光電導器件等特殊領域有應用。

權威參考來源：

網絡擴展解釋

關于“本質半導體”的詳細解釋如下：

定義

本質半導體又稱本征半導體，指在純淨狀态下未摻雜任何雜質元素的半導體材料。其導電性能完全由材料本身的原子結構決定，是研究半導體特性的基礎形态。

核心特性

導電性
導電能力介于導體與絕緣體之間，且具有負溫度系數特性：溫度升高時電阻減小，導電性增強。
原子結構
以矽（Si）、鍺（Ge）為例，外層有4個價電子，通過共價鍵形成晶體結構。常溫下少數價電子可脫離束縛形成自由電子和空穴，構成導電的載流子。
能帶特性
存在禁帶寬度（價帶與導帶之間的能量差），熱激發可使電子躍遷至導帶，産生電子-空穴對。

典型材料

元素半導體：矽（Si）、鍺（Ge）
化合物半導體：砷化镓（GaAs）等。

應用與意義

本質半導體導電能力較弱，實際應用中常通過摻雜（添加雜質）制成P型或N型半導體，用于制造二極管、晶體管等器件。它是半導體技術的理論基礎，也是集成電路等現代電子器件的起點。

如需進一步了解半導體的摻雜機制或實際應用，可提供補充問題。