本质半导体英文解释翻译、本质半导体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 extrinsic semiconductor

分词翻译：

本质的英语翻译：

essence; genius; inbeing; essentiality; substance
【医】 entity

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

专业解析

本质半导体（Intrinsic Semiconductor）指纯净且结构完整的半导体材料，其电学特性仅由材料本身的本征性质决定，不依赖任何杂质或缺陷。以下是详细解释：

一、核心定义与特性

纯净性
本质半导体由单一元素（如硅、锗）或化合物（如砷化镓）构成，晶体中不含故意掺杂的杂质原子。其载流子（电子与空穴）仅由热激发产生，浓度由能带结构和温度决定。

载流子浓度公式：

$$ n_i = sqrt{N_c N_v}e^{-E_g/(2kT)} $$

其中 (n_i) 为本征载流子浓度，(E_g) 为禁带宽度，(k) 为玻尔兹曼常数。
电中性平衡
在热平衡状态下，电子浓度（(n_0)）与空穴浓度（(p_0)）相等，即 (n_0 = p_0 = n_i)，材料整体保持电中性。

二、关键物理机制

热激发：价带电子获得热能后跃迁至导带，形成自由电子和价带空穴。
复合：导带电子与价带空穴相遇后释放能量，恢复共价键结构。
两种过程动态平衡时，载流子浓度稳定。

三、典型材料与参数

材料	禁带宽度（eV）	300K时 (n_i) (cm⁻³)
硅（Si）	1.12	(1.5 times 10^{10})
锗（Ge）	0.66	(2.4 times 10^{13})
砷化镓（GaAs）	1.43	(2.1 times 10)

数据来源：半导体物理标准教材

四、同义词与相关概念

同义词：本征半导体（Intrinsic Semiconductor）
对立概念：掺杂半导体（Extrinsic Semiconductor），其导电性由杂质原子控制。

五、应用场景

本质半导体是研究半导体基础理论的理想模型，实际器件中需通过掺杂调控电导率。其在高温传感器、本征光电导器件等特殊领域有应用。

权威参考来源：

网络扩展解释

关于“本质半导体”的详细解释如下：

定义

本质半导体又称本征半导体，指在纯净状态下未掺杂任何杂质元素的半导体材料。其导电性能完全由材料本身的原子结构决定，是研究半导体特性的基础形态。

核心特性

导电性
导电能力介于导体与绝缘体之间，且具有负温度系数特性：温度升高时电阻减小，导电性增强。
原子结构
以硅（Si）、锗（Ge）为例，外层有4个价电子，通过共价键形成晶体结构。常温下少数价电子可脱离束缚形成自由电子和空穴，构成导电的载流子。
能带特性
存在禁带宽度（价带与导带之间的能量差），热激发可使电子跃迁至导带，产生电子-空穴对。

典型材料

元素半导体：硅（Si）、锗（Ge）
化合物半导体：砷化镓（GaAs）等。

应用与意义

本质半导体导电能力较弱，实际应用中常通过掺杂（添加杂质）制成P型或N型半导体，用于制造二极管、晶体管等器件。它是半导体技术的理论基础，也是集成电路等现代电子器件的起点。

如需进一步了解半导体的掺杂机制或实际应用，可提供补充问题。