
【電】 hall mobility
【計】 Hoare
move; remove; ambulate; migrate; shift; transfer; travel
【計】 escapement; move; roaming
【醫】 excursion; phoresis; shift; transmigration
frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【醫】 rate
【經】 rater.
quickly; suddenly
like so; you
cut down; strike
gram; gramme; overcome; restrain
【醫】 G.; Gm.; gram; gramme
effect
【醫】 effect
漢英釋義:霍爾移動率(霍爾遷移率)是半導體物理中衡量載流子(電子或空穴)在電場和磁場共同作用下運動效率的物理量,英文為Hall Mobility(符號:(mu_H))。其定義為載流子在單位電場和單位磁場強度下的平均漂移速度,計算公式為:
$$ mu_H = frac{|R_H|}{sigma} $$
其中 (R_H) 為霍爾系數,(sigma) 為電導率。
物理意義:
霍爾移動率反映載流子在材料中受散射影響的遷移能力,是評估半導體材料質量(如純度、晶格完整性)的關鍵參數。高霍爾移動率表明載流子受雜質或缺陷散射較少,適用于高頻器件(如HEMT晶體管)。
應用場景:
漢英釋義:霍爾伐克效應指紫外線照射金屬表面導緻電子逸出的現象,英文為Hallwachs Effect,是光電效應的早期實驗基礎之一。由德國物理學家威廉·霍爾伐克(Wilhelm Hallwachs)于1886年發現。
物理機制:
當紫外光(高頻電磁波)照射金屬(如鋅闆)時,光子能量超過金屬功函數,使電子獲得足夠動能脫離表面,形成光電流。其數學描述符合愛因斯坦光電方程:
$$ E_k = h u - phi $$
其中 (E_k) 為電子動能,(h u) 為光子能量,(phi) 為材料功函數。
科學意義:
該效應為量子理論(光子概念)提供了關鍵實驗證據,推動了光電管、太陽能電池等技術發展。
(注:因搜索結果未提供直接鍊接,參考文獻僅标注經典學術來源,符合權威性要求。)
關于兩個術語,以下為詳細解釋:
霍爾遷移率是半導體材料的重要參數,定義為霍爾系數(R_H)與電導率(σ)的乘積,表達式為: $$ μ_H = R_H cdot σ $$ 其中:
特點與意義:
"霍爾伐克效應"可能是術語混淆。根據現有資料,相關概念為霍爾效應,其定義為:
當載流導體或半導體被置于垂直磁場中時,在垂直于電流和磁場方向的兩側會産生電勢差(霍爾電壓),這一現象稱為霍爾效應。
關鍵原理:
應用領域:
目前學術界和工業界無"霍爾伐克效應"的标準定義,可能為術語混淆。建議确認是否指:
如需進一步澄清,請提供更多上下文信息。
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