
【电】 hall mobility
【计】 Hoare
move; remove; ambulate; migrate; shift; transfer; travel
【计】 escapement; move; roaming
【医】 excursion; phoresis; shift; transmigration
frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【医】 rate
【经】 rater.
quickly; suddenly
like so; you
cut down; strike
gram; gramme; overcome; restrain
【医】 G.; Gm.; gram; gramme
effect
【医】 effect
汉英释义:霍尔移动率(霍尔迁移率)是半导体物理中衡量载流子(电子或空穴)在电场和磁场共同作用下运动效率的物理量,英文为Hall Mobility(符号:(mu_H))。其定义为载流子在单位电场和单位磁场强度下的平均漂移速度,计算公式为:
$$ mu_H = frac{|R_H|}{sigma} $$
其中 (R_H) 为霍尔系数,(sigma) 为电导率。
物理意义:
霍尔移动率反映载流子在材料中受散射影响的迁移能力,是评估半导体材料质量(如纯度、晶格完整性)的关键参数。高霍尔移动率表明载流子受杂质或缺陷散射较少,适用于高频器件(如HEMT晶体管)。
应用场景:
汉英释义:霍尔伐克效应指紫外线照射金属表面导致电子逸出的现象,英文为Hallwachs Effect,是光电效应的早期实验基础之一。由德国物理学家威廉·霍尔伐克(Wilhelm Hallwachs)于1886年发现。
物理机制:
当紫外光(高频电磁波)照射金属(如锌板)时,光子能量超过金属功函数,使电子获得足够动能脱离表面,形成光电流。其数学描述符合爱因斯坦光电方程:
$$ E_k = h u - phi $$
其中 (E_k) 为电子动能,(h u) 为光子能量,(phi) 为材料功函数。
科学意义:
该效应为量子理论(光子概念)提供了关键实验证据,推动了光电管、太阳能电池等技术发展。
(注:因搜索结果未提供直接链接,参考文献仅标注经典学术来源,符合权威性要求。)
关于两个术语,以下为详细解释:
霍尔迁移率是半导体材料的重要参数,定义为霍尔系数(R_H)与电导率(σ)的乘积,表达式为: $$ μ_H = R_H cdot σ $$ 其中:
特点与意义:
"霍尔伐克效应"可能是术语混淆。根据现有资料,相关概念为霍尔效应,其定义为:
当载流导体或半导体被置于垂直磁场中时,在垂直于电流和磁场方向的两侧会产生电势差(霍尔电压),这一现象称为霍尔效应。
关键原理:
应用领域:
目前学术界和工业界无"霍尔伐克效应"的标准定义,可能为术语混淆。建议确认是否指:
如需进一步澄清,请提供更多上下文信息。
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