
【醫】 chemical bath
chemistry
【化】 chemistry
【醫】 chemistry; chemo-; spagyric medicine
bath
【醫】 balneum; bath
化學浴(Chemical Bath)是材料科學中常用的薄膜沉積技術,其核心原理是通過溶液中的化學反應在基材表面形成均勻塗層。在漢英詞典中,該術語對應為“chemical bath”,常用于半導體、光伏及納米材料制備領域。以下是其詳細解釋:
定義與原理
化學浴沉積(Chemical Bath Deposition, CBD)是一種濕化學法,将基材浸入含金屬離子(如镉、鋅、銅)和絡合劑(如氨水、硫脲)的溶液中。通過控制溫度、pH值及反應時間,溶液中的離子發生水解或還原反應,最終在基材表面生成硫化物、氧化物等薄膜。該過程無需複雜設備,適合大面積成膜。
典型應用場景
反應溫度(通常40-90°C)、溶液濃度及攪拌速率直接影響薄膜的厚度與結晶質量。例如,硫脲濃度過高可能導緻沉澱過快,形成多孔結構。
化學浴(Chemical Bath Deposition,CBD)是一種通過溶液中的化學反應在基底表面沉積材料的薄膜制備技術,尤其在半導體和納米材料領域應用廣泛。以下是其核心要點:
化學浴沉積依賴溶液中緩慢的化學反應,通過控制反應條件(如溫度、pH值、濃度等),使溶質離子(如硫離子S²⁻)在基底表面逐漸成核并生長,最終形成均勻的薄膜或量子點結構。例如,硫代硫酸鈉(Na₂S₂O₃)或硫脲可作為硫源,緩慢釋放S²⁻離子參與反應。
化學浴沉積常用于制備太陽能電池的光吸收層(如CdS薄膜)、傳感器敏感層及量子點材料,尤其在光電領域優勢顯著。
盡管CBD技術成熟,但反應速率較慢,需優化條件以平衡效率與質量。此外,不同硫源的選擇會影響薄膜的結晶性和缺陷密度。
如需更詳細的技術參數或實驗步驟,可參考相關文獻或專業資料。
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