化学浴英文解释翻译、化学浴的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【医】 chemical bath

分词翻译：

化学的英语翻译：

chemistry
【化】 chemistry
【医】 chemistry; chemo-; spagyric medicine

浴的英语翻译：

bath
【医】 balneum; bath

专业解析

化学浴（Chemical Bath）是材料科学中常用的薄膜沉积技术，其核心原理是通过溶液中的化学反应在基材表面形成均匀涂层。在汉英词典中，该术语对应为“chemical bath”，常用于半导体、光伏及纳米材料制备领域。以下是其详细解释：

1. 定义与原理

   化学浴沉积（Chemical Bath Deposition, CBD）是一种湿化学法，将基材浸入含金属离子（如镉、锌、铜）和络合剂（如氨水、硫脲）的溶液中。通过控制温度、pH值及反应时间，溶液中的离子发生水解或还原反应，最终在基材表面生成硫化物、氧化物等薄膜。该过程无需复杂设备，适合大面积成膜。

2. 典型应用场景

• 太阳能电池：用于制备硫化镉（CdS）缓冲层，提升光电转换效率（参考《Materials Chemistry and Physics》期刊）。
• 传感器：氧化锌（ZnO）薄膜可用于气体检测（美国化学学会ACS Applied Materials & Interfaces研究）。
• 防腐涂层：在金属表面生成致密保护层以延缓腐蚀（《Corrosion Science》实验数据）。

3. 关键参数与影响

   反应温度（通常40-90°C）、溶液浓度及搅拌速率直接影响薄膜的厚度与结晶质量。例如，硫脲浓度过高可能导致沉淀过快，形成多孔结构。

网络扩展解释

化学浴（Chemical Bath Deposition，CBD）是一种通过溶液中的化学反应在基底表面沉积材料的薄膜制备技术，尤其在半导体和纳米材料领域应用广泛。以下是其核心要点：

1.基本原理

化学浴沉积依赖溶液中缓慢的化学反应，通过控制反应条件（如温度、pH值、浓度等），使溶质离子（如硫离子S²⁻）在基底表面逐渐成核并生长，最终形成均匀的薄膜或量子点结构。例如，硫代硫酸钠（Na₂S₂O₃）或硫脲可作为硫源，缓慢释放S²⁻离子参与反应。

2.关键材料与条件

• 硫源：常用硫代硫酸钠或硫脲，因其能稳定释放活性离子。
• 基底：宽禁带半导体（如氧化锌、硫化镉）是典型基底材料。
• 控制参数：反应时间、温度及溶液浓度直接影响薄膜的厚度和均匀性。

3.主要特点

• 低成本：无需复杂设备，适合大规模生产。
• 均匀性高：溶液环境使沉积层覆盖性良好。
• 可控性强：通过调节反应参数可精准调控材料性能。

4.典型应用

化学浴沉积常用于制备太阳能电池的光吸收层（如CdS薄膜）、传感器敏感层及量子点材料，尤其在光电领域优势显著。

5.补充说明

尽管CBD技术成熟，但反应速率较慢，需优化条件以平衡效率与质量。此外，不同硫源的选择会影响薄膜的结晶性和缺陷密度。

如需更详细的技术参数或实验步骤，可参考相关文献或专业资料。

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