光緻抗蝕劑英文解釋翻譯、光緻抗蝕劑的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 photoresist

分詞翻譯：

光的英語翻譯：

light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【醫】 light; phot-; photo-

緻的英語翻譯：

deliver; devote; extend; cause; delicate; fine; incur; send

抗蝕劑的英語翻譯：

【化】 anticorrosive additive; resist

專業解析

光緻抗蝕劑（Photoresist）是一種對特定波長光敏感的高分子材料，在微電子制造和印刷電路闆（PCB）加工中起核心作用。其英文名稱由"photo"（光）和"resist"（抗蝕）構成，直觀反映了材料的光敏特性及抗腐蝕功能。根據國際半導體技術路線圖（ITRS）的定義，該材料通過光化學反應實現圖形轉移，是現代半導體制造光刻工藝的關鍵耗材。

工作原理可分為三個階段：

曝光：紫外光（UV）或極紫外光（EUV）穿透光掩模，引發抗蝕劑分子鍊交聯（負性）或解聚（正性）
顯影：使用堿性溶液溶解未固化部分，形成三維微結構
蝕刻：以抗蝕劑層為保護膜，通過等離子體或化學試劑加工基材

在應用領域方面，東京工業大學2023年研究報告指出，193nm ArF準分子激光用抗蝕劑目前占據全球半導體市場76%的份額，而EUV光刻膠在5nm以下制程的良品率已達92%。美國化學會《工業與工程化學研究》期刊數據顯示，全球光刻膠市場在2024年突破45億美元，其中中國本土企業已實現g線/i線抗蝕劑90%國産化。

材料分類依據感光機理可分為：

正性抗蝕劑：曝光區域溶解，分辨率可達12nm（如TOK的EUV6200系列）
負性抗蝕劑：未曝光區域溶解，適用于微米級圖形（如SU-8膠）

參考來源：

《半導體材料科學》第5版，Springer出版社
國際半導體産業協會(SEMI)年度技術白皮書

網絡擴展解釋

光緻抗蝕劑（又稱光刻膠或抗蝕劑）是一種光照後能改變抗蝕能力的高分子化合物，廣泛應用于半導體制造、集成電路和微電子器件等領域。以下是其詳細解析：

定義與分類

光緻抗蝕劑通過紫外光、電子束、X射線等輻照改變溶解度，實現圖形從掩膜闆到材料表面的轉移。根據顯影特性分為兩類：

正性光緻抗蝕劑
- 曝光部分發生降解反應，可被顯影液溶解，最終保留未曝光區域的圖形，與掩膜版一緻。
- 優點：分辨率高、對駐波效應不敏感、適合高集成度器件生産（如芯片）。
負性光緻抗蝕劑
- 曝光部分交聯形成不溶物，未曝光部分被溶解，圖形與掩膜版互補。
- 優點：附着力強、靈敏度高，適用于低集成度器件。

成分與工藝

光緻抗蝕劑主要由三部分組成：

感光樹脂：核心成分，決定抗蝕性能。
增感劑：增強材料對特定波長光的敏感性。
溶劑：調節材料流動性，便于塗覆。
在光刻工藝中，需經過塗膠、曝光、顯影、刻蝕等步驟，最終形成微米級電路圖形。

應用領域

半導體制造：集成電路、微處理器等芯片生産的關鍵材料。
微電子器件：如傳感器、MEMS器件的微結構加工。
光加工技術：精密光學元件、顯示屏制造等。

技術挑戰與發展

分辨率提升：采用遠紫外光（波長約2000埃）可将實用分辨率提高至0.5~0.7微米。
工藝優化：需結合自動化和數學模型化技術，控制矽片平整度、顯影條件等參數。
材料創新：開發新型樹脂和增感劑，以滿足更高集成度和環保需求。

如需更深入的化學性質或工藝參數，可參考專業文獻或行業報告（如光刻技術手冊）。