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開關驅動存儲器英文解釋翻譯、開關驅動存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【計】 switch-driven memory

分詞翻譯:

開關的英語翻譯:

on-off; stopcock; switch
【計】 disjunctor; S; SW; switch
【化】 switch
【醫】 switch

驅動的英語翻譯:

drive
【計】 D-drive
【化】 drive; driving (motion)

存儲器的英語翻譯:

storage; store
【計】 M; memorizer; S

專業解析

開關驅動存儲器(Switch-Driven Memory)是一種利用電子開關控制數據存取操作的存儲技術。在電子工程領域,該術語的核心含義可拆解為:

一、術語解析

  1. 開關(Switch)

    指控制電流通斷的半導體元件(如MOSFET),通過栅極電壓實現“開/關”狀态切換,對應二進制數據的1/0 存儲邏輯。其物理基礎是晶體管的導通與截止特性。

  2. 驅動(Driven)

    描述開關動作由外部信號(如地址線、控制邏輯)觸發,強調存儲單元的主動尋址機制。例如,字線(Word Line)電壓驅動選通特定存儲單元。

  3. 存儲器(Memory)

    指存儲數據的物理介質,通常由存儲單元陣列 構成。開關驅動型存儲器的典型代表包括靜态隨機存取存儲器(SRAM)和部分非易失性存儲器(如NOR Flash)。

二、技術原理

開關驅動存儲器的核心是通過晶體管開關直接控制存儲單元:

$$ begin{aligned} text{存儲單元狀态} &= f(text{開關控制信號}) text{數據穩定性} &propto text{開關響應速度} end{aligned} $$

三、典型應用場景

  1. 高速緩存(Cache):SRAM因開關驅動速度快,廣泛用于CPU緩存。
  2. 嵌入式存儲:微控制器集成NOR Flash存儲固件代碼,依賴開關尋址直接執行(XIP技術)。

四、對比其他存儲技術

特性 開關驅動存儲器(如SRAM) 電容驅動存儲器(如DRAM)
存儲機制 晶體管開關狀态 電容電荷存儲
刷新需求 無需刷新 周期性刷新
訪問速度 快(納秒級) 較慢(受刷新制約)

權威參考文獻:

  1. 《半導體存儲器技術導論》 (Elsevier)
  2. IEEE固态電路期刊:SRAM設計綜述
  3. 應用物理評論:非易失性存儲器原理
  4. 微電子工程:存儲單元結構分析

網絡擴展解釋

“開關驅動存儲器”這一術語并非計算機科學或電子工程領域的标準概念。結合“存儲器”的基礎定義和“開關驅動”的常見技術邏輯,可以嘗試從以下角度解釋:

1. 存儲器的核心定義 存儲器是計算機系統中用于存儲程式、數據和指令的硬件設備,分為:

2. “開關驅動”的可能含義 該表述可能指以下技術特征:

3. 可能的誤解場景 該詞可能出現在以下非專業語境中:

建議:若涉及專業場景,請提供更多上下文或确認術語來源。标準存儲器分類可參考國際電氣電子工程師學會(IEEE)的存儲器件分類标準。

分類

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