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开关驱动存储器英文解释翻译、开关驱动存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 switch-driven memory

分词翻译:

开关的英语翻译:

on-off; stopcock; switch
【计】 disjunctor; S; SW; switch
【化】 switch
【医】 switch

驱动的英语翻译:

drive
【计】 D-drive
【化】 drive; driving (motion)

存储器的英语翻译:

storage; store
【计】 M; memorizer; S

专业解析

开关驱动存储器(Switch-Driven Memory)是一种利用电子开关控制数据存取操作的存储技术。在电子工程领域,该术语的核心含义可拆解为:

一、术语解析

  1. 开关(Switch)

    指控制电流通断的半导体元件(如MOSFET),通过栅极电压实现“开/关”状态切换,对应二进制数据的1/0 存储逻辑。其物理基础是晶体管的导通与截止特性。

  2. 驱动(Driven)

    描述开关动作由外部信号(如地址线、控制逻辑)触发,强调存储单元的主动寻址机制。例如,字线(Word Line)电压驱动选通特定存储单元。

  3. 存储器(Memory)

    指存储数据的物理介质,通常由存储单元阵列 构成。开关驱动型存储器的典型代表包括静态随机存取存储器(SRAM)和部分非易失性存储器(如NOR Flash)。

二、技术原理

开关驱动存储器的核心是通过晶体管开关直接控制存储单元:

$$ begin{aligned} text{存储单元状态} &= f(text{开关控制信号}) text{数据稳定性} &propto text{开关响应速度} end{aligned} $$

三、典型应用场景

  1. 高速缓存(Cache):SRAM因开关驱动速度快,广泛用于CPU缓存。
  2. 嵌入式存储:微控制器集成NOR Flash存储固件代码,依赖开关寻址直接执行(XIP技术)。

四、对比其他存储技术

特性 开关驱动存储器(如SRAM) 电容驱动存储器(如DRAM)
存储机制 晶体管开关状态 电容电荷存储
刷新需求 无需刷新 周期性刷新
访问速度 快(纳秒级) 较慢(受刷新制约)

权威参考文献:

  1. 《半导体存储器技术导论》 (Elsevier)
  2. IEEE固态电路期刊:SRAM设计综述
  3. 应用物理评论:非易失性存储器原理
  4. 微电子工程:存储单元结构分析

网络扩展解释

“开关驱动存储器”这一术语并非计算机科学或电子工程领域的标准概念。结合“存储器”的基础定义和“开关驱动”的常见技术逻辑,可以尝试从以下角度解释:

1. 存储器的核心定义 存储器是计算机系统中用于存储程序、数据和指令的硬件设备,分为:

2. “开关驱动”的可能含义 该表述可能指以下技术特征:

3. 可能的误解场景 该词可能出现在以下非专业语境中:

建议:若涉及专业场景,请提供更多上下文或确认术语来源。标准存储器分类可参考国际电气电子工程师学会(IEEE)的存储器件分类标准。

分类

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