寄生晶體管英文解釋翻譯、寄生晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 parasitic transistor

分詞翻譯：

寄生的英語翻譯：

【醫】 parasitism; parasitize; ramuli visci seu loranthi

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

在半導體器件領域，寄生晶體管（Parasitic Transistor）指集成電路制造過程中非預期形成的雙極型晶體管結構。該現象源于半導體材料分層結構間的物理特性：當N-P-N或P-N-P型區域因摻雜工藝形成非設計性連接時，會構成雙極結型晶體管（BJT）的寄生效應。

這種結構常見于CMOS工藝中，源/漏區與襯底間可能形成寄生BJT。美國電氣電子工程師學會（IEEE）的器件可靠性研究報告指出，寄生晶體管導通可能引發闩鎖效應（Latch-up），導緻電路功能異常甚至永久損壞。國際半導體技術路線圖（ITRS）數據顯示，在90納米以下工藝節點中，寄生效應引發的失效占比達12%-15%。

台灣積體電路制造公司（TSMC）的技術白皮書建議采用保護環（Guard Ring）結構和深阱摻雜工藝來抑制寄生晶體管效應。日本東芝公司的實驗數據顯示，三重阱結構可使寄生BJT的電流增益β值降低83%。

網絡擴展解釋

寄生晶體管（Parasitic Transistor）是集成電路中因結構或工藝限制而非故意形成的晶體管效應，可能對電路性能産生負面影響。以下是綜合多個來源的詳細解釋：

定義與形成原因

基本概念
寄生晶體管并非獨立元件，而是由于半導體器件或電路布局中相鄰區域的相互作用，在特定條件下形成的非預期晶體管結構。例如，集成電路中的PN結隔離區或MOSFET的源漏極之間可能形成寄生雙極型晶體管（如NPN或PNP）。
寄生效應來源
- 寄生電容：元件間因物理接近産生的雜散電容（如MOSFET的栅極與襯底電容），可能導緻晶體管偏離理想工作狀态。
- 多層結構：集成電路中四層三結的物理結構（如雙極型晶體管）易引發寄生PNP或NPN效應。

工作特性與影響

觸發條件
- 數字電路：當主晶體管（如NPN）工作在飽和區或反向區時，寄生PNP管的發射結正偏被激活，導緻漏電流或闩鎖效應（Latch-up）。
- 模拟電路：若主晶體管處于截止區或正向區，寄生管的發射結反偏，通常不導通。
典型問題
- 功耗增加：寄生導通路徑引發額外電流。
- 信號幹擾：寄生電容耦合導緻噪聲或延遲。
- 可靠性風險：闩鎖效應可能燒毀芯片。

設計與規避方法

工藝優化
通過改進隔離技術（如深槽隔離）或調整摻雜濃度，減少寄生結構的形成。
電路設計
添加保護環（Guard Ring）或使用抗闩鎖設計規則，阻斷寄生電流路徑。

寄生晶體管是集成電路設計中需重點控制的非理想效應，其影響因工作狀态而異。理解其機制有助于優化芯片性能和可靠性。如需進一步了解具體案例，可參考集成電路設計相關文獻。