寄生晶体管英文解释翻译、寄生晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 parasitic transistor

分词翻译：

寄生的英语翻译：

【医】 parasitism; parasitize; ramuli visci seu loranthi

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

在半导体器件领域，寄生晶体管（Parasitic Transistor）指集成电路制造过程中非预期形成的双极型晶体管结构。该现象源于半导体材料分层结构间的物理特性：当N-P-N或P-N-P型区域因掺杂工艺形成非设计性连接时，会构成双极结型晶体管（BJT）的寄生效应。

这种结构常见于CMOS工艺中，源/漏区与衬底间可能形成寄生BJT。美国电气电子工程师学会（IEEE）的器件可靠性研究报告指出，寄生晶体管导通可能引发闩锁效应（Latch-up），导致电路功能异常甚至永久损坏。国际半导体技术路线图（ITRS）数据显示，在90纳米以下工艺节点中，寄生效应引发的失效占比达12%-15%。

台湾积体电路制造公司（TSMC）的技术白皮书建议采用保护环（Guard Ring）结构和深阱掺杂工艺来抑制寄生晶体管效应。日本东芝公司的实验数据显示，三重阱结构可使寄生BJT的电流增益β值降低83%。

网络扩展解释

寄生晶体管（Parasitic Transistor）是集成电路中因结构或工艺限制而非故意形成的晶体管效应，可能对电路性能产生负面影响。以下是综合多个来源的详细解释：

定义与形成原因

基本概念
寄生晶体管并非独立元件，而是由于半导体器件或电路布局中相邻区域的相互作用，在特定条件下形成的非预期晶体管结构。例如，集成电路中的PN结隔离区或MOSFET的源漏极之间可能形成寄生双极型晶体管（如NPN或PNP）。
寄生效应来源
- 寄生电容：元件间因物理接近产生的杂散电容（如MOSFET的栅极与衬底电容），可能导致晶体管偏离理想工作状态。
- 多层结构：集成电路中四层三结的物理结构（如双极型晶体管）易引发寄生PNP或NPN效应。

工作特性与影响

触发条件
- 数字电路：当主晶体管（如NPN）工作在饱和区或反向区时，寄生PNP管的发射结正偏被激活，导致漏电流或闩锁效应（Latch-up）。
- 模拟电路：若主晶体管处于截止区或正向区，寄生管的发射结反偏，通常不导通。
典型问题
- 功耗增加：寄生导通路径引发额外电流。
- 信号干扰：寄生电容耦合导致噪声或延迟。
- 可靠性风险：闩锁效应可能烧毁芯片。

设计与规避方法

工艺优化
通过改进隔离技术（如深槽隔离）或调整掺杂浓度，减少寄生结构的形成。
电路设计
添加保护环（Guard Ring）或使用抗闩锁设计规则，阻断寄生电流路径。

寄生晶体管是集成电路设计中需重点控制的非理想效应，其影响因工作状态而异。理解其机制有助于优化芯片性能和可靠性。如需进一步了解具体案例，可参考集成电路设计相关文献。