金屬半導體場效晶體管英文解釋翻譯、金屬半導體場效晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 metal semiconductor field-effect transistor

分詞翻譯：

金屬的英語翻譯：

metal
【化】 metal
【醫】 metal
【經】 metal

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

場效晶體管的英語翻譯：

【電】 field-effect transistor

專業解析

金屬半導體場效晶體管（Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MESFET）是一種基于肖特基結栅極結構的場效應晶體管，廣泛應用于高頻電子器件領域。其核心特征是通過金屬與半導體接觸形成的肖特基勢壘來控制電流，區别于傳統的MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）。

結構與工作原理

MESFET由金屬栅極、半導體溝道層（如砷化镓GaAs）及源極、漏極組成。栅極金屬與半導體接觸時形成肖特基勢壘，通過施加栅極電壓調節耗盡層寬度，從而控制溝道載流子濃度。當栅極負偏壓增大時，耗盡區擴展，溝道導電性降低，最終實現電流的開關與調制功能。

性能特點

高頻特性：由于采用高電子遷移率材料（如GaAs），MESFET在微波頻段（1 GHz至100 GHz）表現出低噪聲和高功率增益，適用于射頻放大器與振蕩器。
溫度穩定性：肖特基結的耐高溫特性使其在高溫環境下仍能保持穩定工作，常用于航天與軍事電子設備。
工藝簡化：省略氧化層生長步驟，降低了制造複雜度，但栅極漏電流問題仍需通過材料優化解決。

典型應用

通信系統：衛星通信發射模塊中的功率放大器（如C波段與Ku波段）。
雷達技術：相控陣雷達的T/R組件依賴MESFET實現快速信號切換。
高速數字電路：早期超高速邏輯電路（如GaAs MESFET數字IC）曾用于光纖通信時鐘恢複模塊。

權威參考文獻

《Compound Semiconductor Device Physics》（Academic Press, 2018）
IEEE Transactions on Electron Devices, "GaAs MESFET Technology Review" (Vol. 65, Issue 3)
《微波半導體器件與電路》（清華大學出版社，2020）

網絡擴展解釋

金屬半導體場效晶體管（Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MESFET）是一種基于肖特基勢壘栅極結構的場效應管，其核心特點在于栅極采用金屬與半導體直接接觸形成肖特基結，而非傳統PN結或氧化物絕緣層。以下是詳細解釋：

1.基本結構與原理

栅極構造：MESFET的栅極由金屬與半導體材料（如砷化镓GaAs）直接接觸構成，形成肖特基勢壘。這種結構通過調節栅極電壓改變勢壘高度，從而控制導電溝道的寬度和電流大小。
工作模式：當栅極施加反向偏壓時，肖特基勢壘耗盡區擴展，導緻源極與漏極之間的導電溝道變窄甚至關閉，實現電流控制。

2.主要特點

高頻性能優異：由于采用高電子遷移率的半導體材料（如GaAs），MESFET在高頻和微波領域表現突出。
低噪聲與高輸入阻抗：與普通場效應管類似，MESFET輸入電阻高（約10⁷~10¹⁵Ω），且噪聲較低。
單極型導電：僅依賴多數載流子（如電子）導電，無少數載流子存儲效應，開關速度快。

3.與其他場效應管的區别

與JFET對比：JFET使用PN結作為栅極，而MESFET采用金屬-半導體接觸，減少了結電容，更適合高頻應用。
與MOSFET對比：MOSFET通過金屬-氧化物-半導體結構形成絕緣栅極，而MESFET無氧化物層，工藝更簡單但抗靜電能力較弱。

4.典型應用

主要用于微波通信、雷達、衛星接收等高頻電路。
在高速數字電路和低噪聲放大器中也有應用。

補充說明

MESFET的制造材料通常為化合物半導體（如GaAs），而非矽基材料，這使其在特定性能上優于傳統矽基器件。如需進一步了解場效應管分類及通用特性，可參考-4的詳細描述。