金属半导体场效晶体管英文解释翻译、金属半导体场效晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 metal semiconductor field-effect transistor

分词翻译：

金属的英语翻译：

metal
【化】 metal
【医】 metal
【经】 metal

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

场效晶体管的英语翻译：

【电】 field-effect transistor

专业解析

金属半导体场效晶体管（Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MESFET）是一种基于肖特基结栅极结构的场效应晶体管，广泛应用于高频电子器件领域。其核心特征是通过金属与半导体接触形成的肖特基势垒来控制电流，区别于传统的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。

结构与工作原理

MESFET由金属栅极、半导体沟道层（如砷化镓GaAs）及源极、漏极组成。栅极金属与半导体接触时形成肖特基势垒，通过施加栅极电压调节耗尽层宽度，从而控制沟道载流子浓度。当栅极负偏压增大时，耗尽区扩展，沟道导电性降低，最终实现电流的开关与调制功能。

性能特点

高频特性：由于采用高电子迁移率材料（如GaAs），MESFET在微波频段（1 GHz至100 GHz）表现出低噪声和高功率增益，适用于射频放大器与振荡器。
温度稳定性：肖特基结的耐高温特性使其在高温环境下仍能保持稳定工作，常用于航天与军事电子设备。
工艺简化：省略氧化层生长步骤，降低了制造复杂度，但栅极漏电流问题仍需通过材料优化解决。

典型应用

通信系统：卫星通信发射模块中的功率放大器（如C波段与Ku波段）。
雷达技术：相控阵雷达的T/R组件依赖MESFET实现快速信号切换。
高速数字电路：早期超高速逻辑电路（如GaAs MESFET数字IC）曾用于光纤通信时钟恢复模块。

权威参考文献

《Compound Semiconductor Device Physics》（Academic Press, 2018）
IEEE Transactions on Electron Devices, "GaAs MESFET Technology Review" (Vol. 65, Issue 3)
《微波半导体器件与电路》（清华大学出版社，2020）

网络扩展解释

金属半导体场效晶体管（Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MESFET）是一种基于肖特基势垒栅极结构的场效应管，其核心特点在于栅极采用金属与半导体直接接触形成肖特基结，而非传统PN结或氧化物绝缘层。以下是详细解释：

1.基本结构与原理

栅极构造：MESFET的栅极由金属与半导体材料（如砷化镓GaAs）直接接触构成，形成肖特基势垒。这种结构通过调节栅极电压改变势垒高度，从而控制导电沟道的宽度和电流大小。
工作模式：当栅极施加反向偏压时，肖特基势垒耗尽区扩展，导致源极与漏极之间的导电沟道变窄甚至关闭，实现电流控制。

2.主要特点

高频性能优异：由于采用高电子迁移率的半导体材料（如GaAs），MESFET在高频和微波领域表现突出。
低噪声与高输入阻抗：与普通场效应管类似，MESFET输入电阻高（约10⁷~10¹⁵Ω），且噪声较低。
单极型导电：仅依赖多数载流子（如电子）导电，无少数载流子存储效应，开关速度快。

3.与其他场效应管的区别

与JFET对比：JFET使用PN结作为栅极，而MESFET采用金属-半导体接触，减少了结电容，更适合高频应用。
与MOSFET对比：MOSFET通过金属-氧化物-半导体结构形成绝缘栅极，而MESFET无氧化物层，工艺更简单但抗静电能力较弱。

4.典型应用

主要用于微波通信、雷达、卫星接收等高频电路。
在高速数字电路和低噪声放大器中也有应用。

补充说明

MESFET的制造材料通常为化合物半导体（如GaAs），而非硅基材料，这使其在特定性能上优于传统硅基器件。如需进一步了解场效应管分类及通用特性，可参考-4的详细描述。