晶體管基級英文解釋翻譯、晶體管基級的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor base

分詞翻譯：

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

基的英語翻譯：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【醫】 base; basement; group; radical

級的英語翻譯：

class; grade; level; o-level; rank; stage; step
【醫】 grade

專業解析

晶體管基極（Base）是雙極型晶體管（BJT）的三個核心電極之一，其功能是通過輸入微小電流控制集電極-發射極間的主電流。作為半導體器件的控制端，基極的摻雜濃度最低、厚度最薄（通常僅微米級），這種設計使載流子在基區内的複合率降低，從而形成放大效應。

從結構機理分析，基極位于發射極與集電極之間，構成N-P-N或P-N-P夾層結構。當基極-發射極間施加正向偏壓時，電子（NPN型）或空穴（PNP型）從發射極注入基區，受基極寬度遠小于載流子擴散長度的限制，約95%的載流子能穿越基區到達集電極，形成電流放大效應。這種特性被廣泛應用于模拟電路和開關電路設計。

權威文獻指出，典型矽晶體管的基極工作電壓約為0.6-0.7V，電流放大系數（β值）範圍在20-200之間。國際電氣電子工程師學會（IEEE）的測試标準明确規定了基極參數測量方法，包括輸入阻抗（通常為千歐級）和截止頻率（可達GHz範圍）等關鍵指标。

在工程應用中，基極驅動電路設計需遵循電流控制原則。世界半導體協會的技術白皮書強調，過高的基極電流會導緻晶體管飽和，而過低則無法開啟器件，因此需要精确匹配偏置電阻值。例如在共發射極放大電路中，基極電阻的計算公式為： $$ RB = frac{V{CC} - V_{BE}}{IB} $$ 其中$V{CC}$為電源電壓，$V_{BE}$為基極-發射極壓降，$I_B$為基極偏置電流。

網絡擴展解釋

晶體管基極是半導體三極管（晶體管）的三個電極之一，其功能與結構特點如下：

一、定義與結構

基極是由晶體管基區引出的電極，位于發射極和集電極之間。晶體管通常由鍺、矽等半導體材料制成，包含發射結（基極-發射極）和集電結（基極-集電極）兩個PN結。

二、核心功能

基極的主要作用是控制電流：

電流放大：基極電流的微小變化可控制集電極電流的顯著變化，實現信號放大。
開關控制：通過調節基極電壓，可控制晶體管在導通（開）與截止（關）狀态間切換。

三、工作特性

電流關系：發射極電流 = 基極電流 + 集電極電流，其中基極電流最小，集電極電流最大。
輸入阻抗：基極的輸入阻抗較低，適合接收小信號輸入。

四、應用場景

基極的調控特性使其廣泛應用于：

模拟電路（如放大器、穩壓器）；
數字電路（如邏輯門、微處理器開關元件）。

補充說明

晶體管作為半導體器件的核心元件，具有體積小、能耗低、可靠性高等優勢，而基極是實現其功能的關鍵控制端。