晶体管基级英文解释翻译、晶体管基级的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistor base

分词翻译：

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

基的英语翻译：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【医】 base; basement; group; radical

级的英语翻译：

class; grade; level; o-level; rank; stage; step
【医】 grade

专业解析

晶体管基极（Base）是双极型晶体管（BJT）的三个核心电极之一，其功能是通过输入微小电流控制集电极-发射极间的主电流。作为半导体器件的控制端，基极的掺杂浓度最低、厚度最薄（通常仅微米级），这种设计使载流子在基区内的复合率降低，从而形成放大效应。

从结构机理分析，基极位于发射极与集电极之间，构成N-P-N或P-N-P夹层结构。当基极-发射极间施加正向偏压时，电子（NPN型）或空穴（PNP型）从发射极注入基区，受基极宽度远小于载流子扩散长度的限制，约95%的载流子能穿越基区到达集电极，形成电流放大效应。这种特性被广泛应用于模拟电路和开关电路设计。

权威文献指出，典型硅晶体管的基极工作电压约为0.6-0.7V，电流放大系数（β值）范围在20-200之间。国际电气电子工程师学会（IEEE）的测试标准明确规定了基极参数测量方法，包括输入阻抗（通常为千欧级）和截止频率（可达GHz范围）等关键指标。

在工程应用中，基极驱动电路设计需遵循电流控制原则。世界半导体协会的技术白皮书强调，过高的基极电流会导致晶体管饱和，而过低则无法开启器件，因此需要精确匹配偏置电阻值。例如在共发射极放大电路中，基极电阻的计算公式为： $$ RB = frac{V{CC} - V_{BE}}{IB} $$ 其中$V{CC}$为电源电压，$V_{BE}$为基极-发射极压降，$I_B$为基极偏置电流。

网络扩展解释

晶体管基极是半导体三极管（晶体管）的三个电极之一，其功能与结构特点如下：

一、定义与结构

基极是由晶体管基区引出的电极，位于发射极和集电极之间。晶体管通常由锗、硅等半导体材料制成，包含发射结（基极-发射极）和集电结（基极-集电极）两个PN结。

二、核心功能

基极的主要作用是控制电流：

电流放大：基极电流的微小变化可控制集电极电流的显著变化，实现信号放大。
开关控制：通过调节基极电压，可控制晶体管在导通（开）与截止（关）状态间切换。

三、工作特性

电流关系：发射极电流 = 基极电流 + 集电极电流，其中基极电流最小，集电极电流最大。
输入阻抗：基极的输入阻抗较低，适合接收小信号输入。

四、应用场景

基极的调控特性使其广泛应用于：

模拟电路（如放大器、稳压器）；
数字电路（如逻辑门、微处理器开关元件）。

补充说明

晶体管作为半导体器件的核心元件，具有体积小、能耗低、可靠性高等优势，而基极是实现其功能的关键控制端。