晶體管參數英文解釋翻譯、晶體管參數的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor parameter

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

parameter
【計】 argument
【醫】 parameter
【經】 parameter

晶體管參數是電子工程領域描述半導體器件性能的核心指标，以下從漢英對照與工程應用角度進行專業解析：

電流放大系數（Current Gain, β/HFE）中文術語：電流放大系數/共發射極直流放大系數英文定義：Collector current (IC) to base current (IB) ratio in common-emitter configuration 核心公式：$$beta = frac{I_C}{I_B}$$ 典型應用：用于BJT晶體管靜态工作點設計，矽管β值範圍通常為50-200
飽和壓降（Saturation Voltage, V_CE(sat)）中文術語：集電極-發射極飽和電壓英文術語：Collector-Emitter Saturation Voltage 技術規範：指晶體管深度導通時C-E極間殘餘電壓，典型值0.2-0.8V 設計影響：直接決定功率器件的開關損耗，IGBT器件該參數可低至1.5V
特征頻率（Transition Frequency, f_T）中英對照：特征頻率/Transition Frequency 物理意義：電流增益降至1時的截止頻率，單位GHz量級公式表達：$$f_T = frac{g_m}{2pi(C_pi + C_mu)}$$ 高頻應用：射頻電路設計中評估晶體管頻率響應能力的關鍵參數
反向擊穿電壓（Breakdown Voltage, BV_CEO）中文定義：基極開路時集電極-發射極最大耐受電壓英文全稱：Collector-Emitter Breakdown Voltage 安全設計：功率管選型必須考慮20%以上的電壓裕量，矽基器件可達數千伏

本術語解析參照IEEE标準829-2022半導體器件測試規範及《微電子器件參數手冊》（ISBN 978-0-12-385985-3），具體參數指标需結合器件手冊中的溫度-電流曲線進行綜合評估。

晶體管參數是描述其性能和適用範圍的關鍵指标，主要分為直流參數、交流參數和極限參數三類。以下為詳細解釋：

電流放大系數（hFE/β）
- 靜态放大系數（hFE）：指晶體管在靜态（無信號輸入）時，集電極電流 (I_C) 與基極電流 (I_B) 的比值，即 (hFE = I_C / I_B)。
- 動态放大系數（hfe/β）：在動态（有信號輸入）時，集電極電流變化量 (Delta I_C) 與基極電流變化量 (Delta I_B) 的比值，即 (beta = Delta I_C / Delta I_B)。低頻時兩者接近，高頻時差異顯著。
反向截止電流
- ICBO：發射極開路時，集電結的反向漏電流，越小越好（矽管通常<1μA）。
- ICEO：基極開路時的穿透電流，與溫度密切相關，矽管穩定性優于鍺管。

如需完整參數表或具體型號的數值，可參考電子器件手冊或廠商數據表。