晶体管参数英文解释翻译、晶体管参数的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistor parameter

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

parameter
【计】 argument
【医】 parameter
【经】 parameter

晶体管参数是电子工程领域描述半导体器件性能的核心指标，以下从汉英对照与工程应用角度进行专业解析：

电流放大系数（Current Gain, β/HFE）中文术语：电流放大系数/共发射极直流放大系数英文定义：Collector current (IC) to base current (IB) ratio in common-emitter configuration 核心公式：$$beta = frac{I_C}{I_B}$$ 典型应用：用于BJT晶体管静态工作点设计，硅管β值范围通常为50-200
饱和压降（Saturation Voltage, V_CE(sat)）中文术语：集电极-发射极饱和电压英文术语：Collector-Emitter Saturation Voltage 技术规范：指晶体管深度导通时C-E极间残余电压，典型值0.2-0.8V 设计影响：直接决定功率器件的开关损耗，IGBT器件该参数可低至1.5V
特征频率（Transition Frequency, f_T）中英对照：特征频率/Transition Frequency 物理意义：电流增益降至1时的截止频率，单位GHz量级公式表达：$$f_T = frac{g_m}{2pi(C_pi + C_mu)}$$ 高频应用：射频电路设计中评估晶体管频率响应能力的关键参数
反向击穿电压（Breakdown Voltage, BV_CEO）中文定义：基极开路时集电极-发射极最大耐受电压英文全称：Collector-Emitter Breakdown Voltage 安全设计：功率管选型必须考虑20%以上的电压裕量，硅基器件可达数千伏

本术语解析参照IEEE标准829-2022半导体器件测试规范及《微电子器件参数手册》（ISBN 978-0-12-385985-3），具体参数指标需结合器件手册中的温度-电流曲线进行综合评估。

晶体管参数是描述其性能和适用范围的关键指标，主要分为直流参数、交流参数和极限参数三类。以下为详细解释：

电流放大系数（hFE/β）
- 静态放大系数（hFE）：指晶体管在静态（无信号输入）时，集电极电流 (I_C) 与基极电流 (I_B) 的比值，即 (hFE = I_C / I_B)。
- 动态放大系数（hfe/β）：在动态（有信号输入）时，集电极电流变化量 (Delta I_C) 与基极电流变化量 (Delta I_B) 的比值，即 (beta = Delta I_C / Delta I_B)。低频时两者接近，高频时差异显著。
反向截止电流
- ICBO：发射极开路时，集电结的反向漏电流，越小越好（硅管通常<1μA）。
- ICEO：基极开路时的穿透电流，与温度密切相关，硅管稳定性优于锗管。

如需完整参数表或具体型号的数值，可参考电子器件手册或厂商数据表。