
【建】 crystal growth
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal
come on; grow up; pullulate; round into; shape
【機】 growth
晶體成長(Crystal Growth)是指物質從無序狀态(如熔體、溶液或氣相)中有序排列形成具有規則幾何外形和内部結構的晶體的過程。這一過程在自然界和工業領域廣泛存在,是材料科學、半導體技術、地質學和生物礦化等領域的關鍵基礎。以下是其詳細解釋:
漢英對照定義
熱力學驅動
晶體成長的驅動力源于相變過程中的自由能差,符合經典成核-生長理論。例如熔體結晶的速率由過冷度($Delta T$)控制,公式表達為:
$$ Delta G = frac{16pi gamma}{3(Delta G_v)} $$
其中 $gamma$ 為界面能,$Delta G_v$ 為單位體積自由能變化。
環境條件
晶體學約束
單晶矽通過提拉法(Czochralski)生長,純度達99.9999%,用于芯片基闆(來源:國際結晶學聯合會)。
生物體内調控碳酸鈣結晶形成貝殼珍珠層,其力學強度超越人工材料(來源:Science期刊)。
岩漿緩慢冷卻形成花崗岩中的長石巨晶,生長周期可達數萬年。
在學術語境中,“晶體生長”(Crystal Growth)為更廣泛使用的術語,涵蓋成核與成長兩階段;“晶體成長”多強調尺寸增大過程,但實際使用中常混用(來源:《材料科學名詞》,科學出版社)。
參考文獻
晶體成長(或稱晶體生長)指物質從氣相、液相或固相轉化為有序固态晶體的過程,其核心是原子、離子或分子按照特定幾何結構排列并逐漸增大。以下是詳細解釋:
晶體成長是物相轉變的結果,通常發生在過飽和或過冷卻的介質中。例如,岩漿冷卻時礦物質結晶,或溶液中鹽分因水分蒸發而形成晶體。該過程涉及兩個關鍵階段:成核(晶核形成)和生長(晶核擴大)。
成核階段
介質達到過飽和或過冷卻狀态後,局部因溫度、濃度變化或雜質影響,形成微小晶核。成核分為兩類:
生長階段
晶核通過吸附周圍原子/分子逐漸增大。生長速率與過飽和度、介質粘度相關。例如,過飽和度高且粘度低時,分子擴散快,晶體生長迅速。
如需進一步了解特定技術(如CZ單晶生長法),可參考的完整内容。
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