
【建】 crystal growth
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal
come on; grow up; pullulate; round into; shape
【机】 growth
晶体成长(Crystal Growth)是指物质从无序状态(如熔体、溶液或气相)中有序排列形成具有规则几何外形和内部结构的晶体的过程。这一过程在自然界和工业领域广泛存在,是材料科学、半导体技术、地质学和生物矿化等领域的关键基础。以下是其详细解释:
汉英对照定义
热力学驱动
晶体成长的驱动力源于相变过程中的自由能差,符合经典成核-生长理论。例如熔体结晶的速率由过冷度($Delta T$)控制,公式表达为:
$$ Delta G = frac{16pi gamma}{3(Delta G_v)} $$
其中 $gamma$ 为界面能,$Delta G_v$ 为单位体积自由能变化。
环境条件
晶体学约束
单晶硅通过提拉法(Czochralski)生长,纯度达99.9999%,用于芯片基板(来源:国际结晶学联合会)。
生物体内调控碳酸钙结晶形成贝壳珍珠层,其力学强度超越人工材料(来源:Science期刊)。
岩浆缓慢冷却形成花岗岩中的长石巨晶,生长周期可达数万年。
在学术语境中,“晶体生长”(Crystal Growth)为更广泛使用的术语,涵盖成核与成长两阶段;“晶体成长”多强调尺寸增大过程,但实际使用中常混用(来源:《材料科学名词》,科学出版社)。
参考文献
晶体成长(或称晶体生长)指物质从气相、液相或固相转化为有序固态晶体的过程,其核心是原子、离子或分子按照特定几何结构排列并逐渐增大。以下是详细解释:
晶体成长是物相转变的结果,通常发生在过饱和或过冷却的介质中。例如,岩浆冷却时矿物质结晶,或溶液中盐分因水分蒸发而形成晶体。该过程涉及两个关键阶段:成核(晶核形成)和生长(晶核扩大)。
成核阶段
介质达到过饱和或过冷却状态后,局部因温度、浓度变化或杂质影响,形成微小晶核。成核分为两类:
生长阶段
晶核通过吸附周围原子/分子逐渐增大。生长速率与过饱和度、介质粘度相关。例如,过饱和度高且粘度低时,分子扩散快,晶体生长迅速。
如需进一步了解特定技术(如CZ单晶生长法),可参考的完整内容。
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