晶粒成長英文解釋翻譯、晶粒成長的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【機】 crystal grain-growth

【化】 grain

come on; grow up; pullulate; round into; shape
【機】 growth

在材料科學領域，晶粒成長（Grain Growth）指多晶材料在高溫下，其内部晶粒尺寸逐漸增大的現象。該過程伴隨着晶界遷移，小晶粒被鄰近的大晶粒吞并，導緻平均晶粒尺寸增加，晶界總面積減少。英文術語為"grain growth"。

核心過程與機制：

驅動力：晶粒成長的驅動力主要來源于晶界能的降低。晶界本身具有較高的能量，系統通過減少晶界總面積（即增大晶粒尺寸）來降低總能量，趨向更穩定的狀态。
晶界遷移：晶粒成長通過晶界的移動實現。原子從晶界一側的晶粒脫離，擴散穿過晶界，加入到另一側的晶粒中，導緻晶界向曲率中心移動（小晶粒一側），大晶粒逐漸吞噬小晶粒。
正常晶粒成長：在理想情況下，晶粒尺寸分布相對均勻，成長速率符合抛物線規律，平均晶粒尺寸隨保溫時間的平方根增大。
異常晶粒成長：某些晶粒會異常快速長大，遠超過平均尺寸，也稱為二次再結晶。這通常由特定因素（如織構、第二相粒子分布不均）引起。

影響因素：

實際意義：晶粒尺寸是決定金屬和陶瓷等材料力學性能（如強度、韌性、硬度）和物理性能（如磁性、導電性）的關鍵因素。例如，根據霍爾-佩奇關系，材料屈服強度通常隨晶粒細化而提高。因此，理解和控制晶粒成長對于材料熱處理工藝設計和性能優化至關重要。

權威參考來源：

Callister, W. D., & Rethwisch, D. G. Materials Science and Engineering: An Introduction (10th ed.). Wiley. 該書是材料科學領域的經典教材，對晶體結構、缺陷（包括晶界）以及熱處理過程中的回複、再結晶和晶粒成長有系統闡述。
Porter, D. A., Easterling, K. E., & Sherif, M. Y. Phase Transformations in Metals and Alloys (3rd ed.). CRC Press. 此書深入探讨了金屬與合金中的相變，包括再結晶後的晶粒成長機制、動力學模型（如Burke-Turnbull方程）及影響因素。
Humphreys, F. J., & Hatherly, M. Recrystallization and Related Annealing Phenomena (2nd ed.). Elsevier. 該專著是再結晶及相關現象研究的權威著作，對晶粒成長（特别是正常與異常成長）的理論、實驗觀察和模型有詳盡分析。

晶粒成長（晶粒生長）是材料科學中的重要概念，指材料中晶粒尺寸隨時間推移或溫度變化而增大的過程。以下從定義、機制、類型、驅動力及影響因素等方面進行綜合解釋：

晶粒成長是晶體内部原子或離子通過重新排列，導緻晶粒尺寸增大的現象。這一過程通常發生在材料加工、熱處理或高溫環境中。晶粒的外形雖不規則，但其内部晶胞的排列方向基本一緻。

正常晶粒生長：晶界逐步緩慢移動，小晶粒逐漸被大晶粒兼并，晶粒尺寸均勻增大。例如燒結中後期，平均晶粒尺寸持續增加。
異常晶粒生長（二次再結晶）：在特定條件下（如雜質阻礙失效或變形織構存在），少數大晶粒突然快速吞并周圍小晶粒，導緻晶粒尺寸分布極不均勻。這種現象在矽鋼片等材料中被用于優化磁性能。

晶粒成長的主要驅動力是晶界表面能的降低。彎曲的晶界會向曲率中心移動以減少界面面積，而大角度晶界的遷移率高于小角度晶界。此外，塑性變形産生的能量也可能推動初次再結晶過程。

晶粒尺寸直接影響材料的力學性能（如強度、韌性）和物理性能（如導電性、磁性能）。例如，細晶材料通常強度更高，而某些功能材料需通過異常生長獲得特定性能。

如需更深入的技術細節，可參考矽鋼材料研究（來源）或燒結過程分析（來源）。