晶粒成长英文解释翻译、晶粒成长的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【机】 crystal grain-growth

【化】 grain

come on; grow up; pullulate; round into; shape
【机】 growth

在材料科学领域，晶粒成长（Grain Growth）指多晶材料在高温下，其内部晶粒尺寸逐渐增大的现象。该过程伴随着晶界迁移，小晶粒被邻近的大晶粒吞并，导致平均晶粒尺寸增加，晶界总面积减少。英文术语为"grain growth"。

核心过程与机制：

驱动力：晶粒成长的驱动力主要来源于晶界能的降低。晶界本身具有较高的能量，系统通过减少晶界总面积（即增大晶粒尺寸）来降低总能量，趋向更稳定的状态。
晶界迁移：晶粒成长通过晶界的移动实现。原子从晶界一侧的晶粒脱离，扩散穿过晶界，加入到另一侧的晶粒中，导致晶界向曲率中心移动（小晶粒一侧），大晶粒逐渐吞噬小晶粒。
正常晶粒成长：在理想情况下，晶粒尺寸分布相对均匀，成长速率符合抛物线规律，平均晶粒尺寸随保温时间的平方根增大。
异常晶粒成长：某些晶粒会异常快速长大，远超过平均尺寸，也称为二次再结晶。这通常由特定因素（如织构、第二相粒子分布不均）引起。

影响因素：

实际意义：晶粒尺寸是决定金属和陶瓷等材料力学性能（如强度、韧性、硬度）和物理性能（如磁性、导电性）的关键因素。例如，根据霍尔-佩奇关系，材料屈服强度通常随晶粒细化而提高。因此，理解和控制晶粒成长对于材料热处理工艺设计和性能优化至关重要。

权威参考来源：

Callister, W. D., & Rethwisch, D. G. Materials Science and Engineering: An Introduction (10th ed.). Wiley. 该书是材料科学领域的经典教材，对晶体结构、缺陷（包括晶界）以及热处理过程中的回复、再结晶和晶粒成长有系统阐述。
Porter, D. A., Easterling, K. E., & Sherif, M. Y. Phase Transformations in Metals and Alloys (3rd ed.). CRC Press. 此书深入探讨了金属与合金中的相变，包括再结晶后的晶粒成长机制、动力学模型（如Burke-Turnbull方程）及影响因素。
Humphreys, F. J., & Hatherly, M. Recrystallization and Related Annealing Phenomena (2nd ed.). Elsevier. 该专著是再结晶及相关现象研究的权威著作，对晶粒成长（特别是正常与异常成长）的理论、实验观察和模型有详尽分析。

晶粒成长（晶粒生长）是材料科学中的重要概念，指材料中晶粒尺寸随时间推移或温度变化而增大的过程。以下从定义、机制、类型、驱动力及影响因素等方面进行综合解释：

晶粒成长是晶体内部原子或离子通过重新排列，导致晶粒尺寸增大的现象。这一过程通常发生在材料加工、热处理或高温环境中。晶粒的外形虽不规则，但其内部晶胞的排列方向基本一致。

正常晶粒生长：晶界逐步缓慢移动，小晶粒逐渐被大晶粒兼并，晶粒尺寸均匀增大。例如烧结中后期，平均晶粒尺寸持续增加。
异常晶粒生长（二次再结晶）：在特定条件下（如杂质阻碍失效或变形织构存在），少数大晶粒突然快速吞并周围小晶粒，导致晶粒尺寸分布极不均匀。这种现象在硅钢片等材料中被用于优化磁性能。

晶粒成长的主要驱动力是晶界表面能的降低。弯曲的晶界会向曲率中心移动以减少界面面积，而大角度晶界的迁移率高于小角度晶界。此外，塑性变形产生的能量也可能推动初次再结晶过程。

晶粒尺寸直接影响材料的力学性能（如强度、韧性）和物理性能（如导电性、磁性能）。例如，细晶材料通常强度更高，而某些功能材料需通过异常生长获得特定性能。

如需更深入的技术细节，可参考硅钢材料研究（来源）或烧结过程分析（来源）。