擴散基極晶體管英文解釋翻譯、擴散基極晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffused-base transistor

分詞翻譯：

擴散的英語翻譯：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

基的英語翻譯：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【醫】 base; basement; group; radical

極晶體的英語翻譯：

【電】 polar crystal

管的英語翻譯：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【醫】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

專業解析

擴散基極晶體管（Diffused Base Transistor）是雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）的一種關鍵制造工藝類型，特指其基區通過半導體摻雜工藝中的熱擴散技術形成。以下是其詳細解釋：

一、核心定義與工藝原理

擴散基極晶體管利用高溫擴散工藝，将特定雜質（如硼或磷）引入半導體晶片（通常是矽），精确控制摻雜濃度和結深以形成基區。其核心特征在于：

基區形成：在集電區（N型或P型矽襯底）表面，通過掩膜窗口注入雜質原子，經高溫退火使雜質向襯底内部擴散，形成薄且摻雜濃度梯度可控的基區（P型或N型）。
結構特點：基區寬度極薄（微米級），摻雜濃度低于發射區但高于集電區，确保載流子高效渡越并實現電流放大。

二、工作機理與性能優勢

載流子輸運：
發射結正向偏置時，電子（NPN型）或空穴（PNP型）注入基區。因基區極薄且為輕摻雜，多數載流子快速擴散至集電結，被反向偏置的集電區收集，形成放大電流。電流增益β值直接受基區寬度和摻雜梯度影響。
高頻特性優化：
擴散工藝可精确控制基區厚度（可低至0.1μm），顯著縮短載流子渡越時間，提升晶體管截止頻率（$f_T$），適用于射頻放大器等高頻應用。

三、典型制造流程

襯底準備：選擇低阻N+矽片作為集電區。
外延生長：在集電區上生長高阻N-外延層。
基區擴散：通過氧化掩膜，擴散P型雜質（如硼）形成基區。
發射區擴散：在基區内擴散高濃度N型雜質（如磷）形成發射區。
電極接觸：光刻金屬化，形成發射極、基極、集電極引線。

四、應用場景

擴散基極晶體管因工藝成熟、成本可控，廣泛應用于：

模拟電路：運算放大器、電壓調節器的核心放大單元。
功率器件：中功率開關電源中的驅動管。
射頻模塊：早期移動通信設備的信號放大。

權威參考文獻

工藝原理：S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley.
結構設計：R. S. Muller, Device Electronics for Integrated Circuits, Wiley.
制造技術：IEEE Transactions on Electron Devices, "Diffusion Technologies in BJT Fabrication".

（注：因未搜索到可驗證鍊接，引用來源僅标注文獻名稱，建議用戶通過學術數據庫獲取原文。）

網絡擴展解釋

“擴散基極晶體管”是雙極型晶體管（BJT）的一種類型，其核心特征是基極區域通過半導體擴散工藝形成。以下是具體解釋：

1. 基本概念

擴散基極：指在制造過程中，通過高溫擴散工藝将特定雜質（如硼或磷）摻入半導體材料（如矽），形成基極區域。這種工藝可精确控制基極的厚度和摻雜濃度。
晶體管類型：屬于雙極型晶體管（BJT），由發射極、基極和集電極構成，主要分為NPN和PNP兩種結構。

2. 工藝特點

摻雜控制：擴散工藝使基極的雜質濃度呈梯度分布（靠近發射極濃度較高），有利于提高載流子傳輸效率。
薄層結構：基極通常極薄（微米級），擴散技術能實現更精準的厚度控制，從而優化高頻特性。

3. 性能優勢

高頻響應：薄且低摻雜的基極可縮短載流子渡越時間，適用于高頻放大電路。
電流放大：擴散形成的基極與發射結/集電結的摻雜差異，增強了電流放大系數（β值）。

4. 應用場景

主要應用于模拟電路（如射頻放大器）和高速開關電路，尤其在需要高頻率、低噪聲的電子設備中常見。

補充說明

嚴格來說，“晶體管”廣義包含所有半導體元件（如二極管、場效應管等），但此處特指晶體三極管。擴散基極工藝是現代半導體制造的基礎技術之一，與離子注入等現代工藝形成對比。