扩散基极晶体管英文解释翻译、扩散基极晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffused-base transistor

分词翻译：

扩散的英语翻译：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【计】 scattering
【化】 scatter
【医】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

基的英语翻译：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【医】 base; basement; group; radical

极晶体的英语翻译：

【电】 polar crystal

管的英语翻译：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【医】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

专业解析

扩散基极晶体管（Diffused Base Transistor）是双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）的一种关键制造工艺类型，特指其基区通过半导体掺杂工艺中的热扩散技术形成。以下是其详细解释：

一、核心定义与工艺原理

扩散基极晶体管利用高温扩散工艺，将特定杂质（如硼或磷）引入半导体晶片（通常是硅），精确控制掺杂浓度和结深以形成基区。其核心特征在于：

基区形成：在集电区（N型或P型硅衬底）表面，通过掩膜窗口注入杂质原子，经高温退火使杂质向衬底内部扩散，形成薄且掺杂浓度梯度可控的基区（P型或N型）。
结构特点：基区宽度极薄（微米级），掺杂浓度低于发射区但高于集电区，确保载流子高效渡越并实现电流放大。

二、工作机理与性能优势

载流子输运：
发射结正向偏置时，电子（NPN型）或空穴（PNP型）注入基区。因基区极薄且为轻掺杂，多数载流子快速扩散至集电结，被反向偏置的集电区收集，形成放大电流。电流增益β值直接受基区宽度和掺杂梯度影响。
高频特性优化：
扩散工艺可精确控制基区厚度（可低至0.1μm），显著缩短载流子渡越时间，提升晶体管截止频率（$f_T$），适用于射频放大器等高频应用。

三、典型制造流程

衬底准备：选择低阻N+硅片作为集电区。
外延生长：在集电区上生长高阻N-外延层。
基区扩散：通过氧化掩膜，扩散P型杂质（如硼）形成基区。
发射区扩散：在基区内扩散高浓度N型杂质（如磷）形成发射区。
电极接触：光刻金属化，形成发射极、基极、集电极引线。

四、应用场景

扩散基极晶体管因工艺成熟、成本可控，广泛应用于：

模拟电路：运算放大器、电压调节器的核心放大单元。
功率器件：中功率开关电源中的驱动管。
射频模块：早期移动通信设备的信号放大。

权威参考文献

工艺原理：S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley.
结构设计：R. S. Muller, Device Electronics for Integrated Circuits, Wiley.
制造技术：IEEE Transactions on Electron Devices, "Diffusion Technologies in BJT Fabrication".

（注：因未搜索到可验证链接，引用来源仅标注文献名称，建议用户通过学术数据库获取原文。）

网络扩展解释

“扩散基极晶体管”是双极型晶体管（BJT）的一种类型，其核心特征是基极区域通过半导体扩散工艺形成。以下是具体解释：

1. 基本概念

扩散基极：指在制造过程中，通过高温扩散工艺将特定杂质（如硼或磷）掺入半导体材料（如硅），形成基极区域。这种工艺可精确控制基极的厚度和掺杂浓度。
晶体管类型：属于双极型晶体管（BJT），由发射极、基极和集电极构成，主要分为NPN和PNP两种结构。

2. 工艺特点

掺杂控制：扩散工艺使基极的杂质浓度呈梯度分布（靠近发射极浓度较高），有利于提高载流子传输效率。
薄层结构：基极通常极薄（微米级），扩散技术能实现更精准的厚度控制，从而优化高频特性。

3. 性能优势

高频响应：薄且低掺杂的基极可缩短载流子渡越时间，适用于高频放大电路。
电流放大：扩散形成的基极与发射结/集电结的掺杂差异，增强了电流放大系数（β值）。

4. 应用场景

主要应用于模拟电路（如射频放大器）和高速开关电路，尤其在需要高频率、低噪声的电子设备中常见。

补充说明

严格来说，“晶体管”广义包含所有半导体元件（如二极管、场效应管等），但此处特指晶体三极管。扩散基极工艺是现代半导体制造的基础技术之一，与离子注入等现代工艺形成对比。