空虛場效晶體管英文解釋翻譯、空虛場效晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 depletion field-effect transiontor

分詞翻譯：

空的英語翻譯：

empty; hollow; air; for nothing; vacancy
【計】 empty; null
【醫】 keno-
【經】 for nothing

虛的英語翻譯：

empty; in vain; modest; timid; virtual; false; void; weak

場效晶體管的英語翻譯：

【電】 field-effect transistor

專業解析

空虛場效晶體管（Depletion-Mode Field-Effect Transistor，D-Mode FET）是一種基于電場效應控制電流的三端半導體器件，其核心特征是溝道在零栅極電壓下已預先形成導通狀态，需施加反向偏壓以耗盡載流子來實現電流調節。該器件由源極、漏極和栅極構成，工作原理基于栅極電壓對導電溝道寬度的調控：當栅極電壓為負時，溝道内的多數載流子被耗盡，導緻漏源電流減小。

與增強型場效晶體管（Enhancement-Mode FET）相比，空虛場效晶體管具有以下特性：

常閉型設計：適用于需要默認導通狀态的電路場景，如電流源和放大器偏置電路
高線性度：在射頻電路中表現優異，常用于高頻信號處理
負阈值電壓：典型阈值電壓範圍為-0.5V至-5V，具體取決于半導體材料與摻雜濃度。

該器件的主要應用包括：

微波通信系統中的功率放大器（引用來源：IEEE Microwave Theory and Techniques Society技術報告）
高精度模拟開關電路（引用來源：《半導體器件物理》第3版，施敏著）
抗輻射電子設備（引用來源：NASA電子元器件可靠性手冊）

器件參數的計算公式可表示為： $$ ID = I{DSS} left(1 - frac{V_{GS}}{VP}right) $$ 其中$I{DSS}$為飽和漏電流，$V_P$為夾斷電壓。

《微電子學基礎》，Paul R. Gray著，第8章

德州儀器公司《FET器件選型指南》

IEEE Xplore文獻庫：10.1109/TED.2020.3026783

網絡擴展解釋

根據您的提問，“空虛場效晶體管”可能是一個術語混淆或筆誤。目前電子學領域并無“空虛場效晶體管”的标準定義，推測您可能想了解以下兩類相關概念：

一、場效應晶體管（FET）的基本概念

場效應晶體管（Field Effect Transistor, FET）是一種通過電場效應控制電流的半導體器件，核心特點是電壓驅動和高輸入阻抗。

工作原理：通過在栅極施加電壓，調節半導體材料中導電溝道的寬度，從而控制源極和漏極之間的電流。
分類：
- 結型場效應管（JFET）：通過反向偏置的PN結控制溝道。
- 絕緣栅型場效應管（MOSFET）：利用金屬-氧化物-半導體結構控制溝道，分為增強型和耗盡型。

二、可能混淆的術語解析

若“空虛”與“耗盡型”（Depletion Mode）相關，則涉及以下内容：

耗盡型MOSFET：在零栅極電壓時已存在導電溝道，需施加反向電壓使溝道“耗盡”以關閉電流。
與之對應的是增強型MOSFET：零栅壓時無導電溝道，需施加正向電壓形成溝道。

三、場效應管的優勢

輸入阻抗高（可達10Ω以上），減少信號源負載；
功耗低，適合集成電路；
噪聲小，常用于高頻和模拟電路。

若您有更具體的背景信息或術語來源，可進一步補充以便精準解答。