空虚场效晶体管英文解释翻译、空虚场效晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 depletion field-effect transiontor

分词翻译：

空的英语翻译：

empty; hollow; air; for nothing; vacancy
【计】 empty; null
【医】 keno-
【经】 for nothing

虚的英语翻译：

empty; in vain; modest; timid; virtual; false; void; weak

场效晶体管的英语翻译：

【电】 field-effect transistor

专业解析

空虚场效晶体管（Depletion-Mode Field-Effect Transistor，D-Mode FET）是一种基于电场效应控制电流的三端半导体器件，其核心特征是沟道在零栅极电压下已预先形成导通状态，需施加反向偏压以耗尽载流子来实现电流调节。该器件由源极、漏极和栅极构成，工作原理基于栅极电压对导电沟道宽度的调控：当栅极电压为负时，沟道内的多数载流子被耗尽，导致漏源电流减小。

与增强型场效晶体管（Enhancement-Mode FET）相比，空虚场效晶体管具有以下特性：

常闭型设计：适用于需要默认导通状态的电路场景，如电流源和放大器偏置电路
高线性度：在射频电路中表现优异，常用于高频信号处理
负阈值电压：典型阈值电压范围为-0.5V至-5V，具体取决于半导体材料与掺杂浓度。

该器件的主要应用包括：

微波通信系统中的功率放大器（引用来源：IEEE Microwave Theory and Techniques Society技术报告）
高精度模拟开关电路（引用来源：《半导体器件物理》第3版，施敏著）
抗辐射电子设备（引用来源：NASA电子元器件可靠性手册）

器件参数的计算公式可表示为： $$ ID = I{DSS} left(1 - frac{V_{GS}}{VP}right) $$ 其中$I{DSS}$为饱和漏电流，$V_P$为夹断电压。

《微电子学基础》，Paul R. Gray著，第8章

德州仪器公司《FET器件选型指南》

IEEE Xplore文献库：10.1109/TED.2020.3026783

网络扩展解释

根据您的提问，“空虚场效晶体管”可能是一个术语混淆或笔误。目前电子学领域并无“空虚场效晶体管”的标准定义，推测您可能想了解以下两类相关概念：

一、场效应晶体管（FET）的基本概念

场效应晶体管（Field Effect Transistor, FET）是一种通过电场效应控制电流的半导体器件，核心特点是电压驱动和高输入阻抗。

工作原理：通过在栅极施加电压，调节半导体材料中导电沟道的宽度，从而控制源极和漏极之间的电流。
分类：
- 结型场效应管（JFET）：通过反向偏置的PN结控制沟道。
- 绝缘栅型场效应管（MOSFET）：利用金属-氧化物-半导体结构控制沟道，分为增强型和耗尽型。

二、可能混淆的术语解析

若“空虚”与“耗尽型”（Depletion Mode）相关，则涉及以下内容：

耗尽型MOSFET：在零栅极电压时已存在导电沟道，需施加反向电压使沟道“耗尽”以关闭电流。
与之对应的是增强型MOSFET：零栅压时无导电沟道，需施加正向电压形成沟道。

三、场效应管的优势

输入阻抗高（可达10Ω以上），减少信号源负载；
功耗低，适合集成电路；
噪声小，常用于高频和模拟电路。

若您有更具体的背景信息或术语来源，可进一步补充以便精准解答。