英語翻譯：

【電】 depletion-layer rectification

分詞翻譯：

空虛層的英語翻譯：

【電】 depletion layer

整流的英語翻譯：

commutate
【醫】 rectification

專業解析

在電子工程領域，"空虛層整流"（英文：Depletion Layer Rectification）指半導體PN結中耗盡層（Depletion Layer）在正向/反向偏壓下對電流的單向導通特性，這是二極管整流效應的物理基礎。以下是詳細解釋：

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一、術語定義與中英對照

1. 空虛層/耗盡層（Depletion Layer）

   指PN結交界處因載流子擴散形成的無自由電荷區域。該區域存在内建電場，阻止多數載流子繼續擴散。中文術語"空虛層"是早期直譯，現代标準譯名為耗盡層（IEEE标準術語）。

   英文定義：

   "A region in a semiconductor where mobile charge carriers are depleted, creating an electric field."

   （來源：IEEE Xplore Glossary）

2. 整流（Rectification）

   指将交流電（AC）轉換為直流電（DC）的過程。PN結耗盡層的單向導電性（正向導通、反向截止）是實現整流的物理機制。

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二、整流原理：耗盡層的作用

當PN結施加：

• 正向偏壓：外電場削弱耗盡層内建電場，耗盡層變窄，多數載流子穿越形成電流。
• 反向偏壓：外電場增強内建電場，耗盡層變寬，僅少數載流子産生微小反向電流。

  該特性使電流僅能單向通過，實現整流效應（圖1）。

  $$V{text{forward}} > 0 Rightarrow I propto e^{qV/kT}$$

  $$V{text{reverse}} < 0 Rightarrow I approx -I_s$$

  （公式來源：半導體物理經典模型

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三、工程應用與權威參考文獻

1. 二極管整流器

   利用PN結耗盡層特性制造整流二極管，廣泛用于電源適配器、電路保護等場景。典型結構包括肖特基二極管（低損耗）和快恢複二極管（高頻應用）。

   推薦文獻：

   • S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices（第4章：PN結二極管）
   • IEEE Journal of Electron Devices Society：最新整流器件研究

2. 技術标準

   • JESD77B（JEDEC固态技術協會）：半導體術語标準
   • IEC 60747：分立器件測試方法

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四、術語使用建議

在學術與工程文件中，推薦使用耗盡層整流（Depletion Layer Rectification）或PN結整流（PN Junction Rectification）以符合現代規範。"空虛層"多見于早期文獻，當前中文學術出版物已逐步淘汰該譯法。

網絡擴展解釋

關于“空虛層整流”這一術語，目前可查的公開資料中并未發現其明确的定義或應用場景。根據現有信息分析，可能存在以下兩種情況：

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一、術語可能存在混淆或筆誤

1. “空虛層”與“耗盡層”的關聯性
   在半導體物理中，耗盡層（Depletion Layer）是PN結的關鍵結構，由正負離子形成的無自由載流子區域。它在整流過程中起核心作用：

   • 正向偏壓時，耗盡層變窄，電流導通；
   • 反向偏壓時，耗盡層變寬，電流截止。
     若“空虛層”實為“耗盡層”，則“整流”即指利用該層的單向導電性将交流電轉為直流電的過程。

2. 其他領域術語的可能性
   “空虛層”可能涉及流體力學或地質學等領域的專業詞彙，但當前搜索結果未提供相關依據。

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二、建議與補充說明

1. 術語核實建議
   請确認是否為“耗盡層整流”或“空間電荷層整流”（兩者均為半導體術語）。若涉及其他領域，建議提供更多上下文。

2. 整流的基礎原理補充

   • 核心器件：二極管、晶閘管等，利用單向導電性實現交流到直流的轉換。
   • 典型應用：手機充電器、直流電機驅動等。
   • 公式表示：單相半波整流輸出電壓平均值為
     $$ V_{dc} = frac{V_m}{pi} $$
     其中( V_m )為交流峰值電壓。

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如需進一步解答，請補充術語的具體來源或應用背景。

分類

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