
【电】 depletion-layer rectification
在电子工程领域,"空虚层整流"(英文:Depletion Layer Rectification)指半导体PN结中耗尽层(Depletion Layer)在正向/反向偏压下对电流的单向导通特性,这是二极管整流效应的物理基础。以下是详细解释:
空虚层/耗尽层(Depletion Layer)
指PN结交界处因载流子扩散形成的无自由电荷区域。该区域存在内建电场,阻止多数载流子继续扩散。中文术语"空虚层"是早期直译,现代标准译名为耗尽层(IEEE标准术语)。
英文定义:
"A region in a semiconductor where mobile charge carriers are depleted, creating an electric field."
(来源:IEEE Xplore Glossary)
整流(Rectification)
指将交流电(AC)转换为直流电(DC)的过程。PN结耗尽层的单向导电性(正向导通、反向截止)是实现整流的物理机制。
当PN结施加:
该特性使电流仅能单向通过,实现整流效应(图1)。
$$V{text{forward}} > 0 Rightarrow I propto e^{qV/kT}$$
$$V{text{reverse}} < 0 Rightarrow I approx -I_s$$
(公式来源:半导体物理经典模型
二极管整流器
利用PN结耗尽层特性制造整流二极管,广泛用于电源适配器、电路保护等场景。典型结构包括肖特基二极管(低损耗)和快恢复二极管(高频应用)。
推荐文献:
技术标准
在学术与工程文件中,推荐使用耗尽层整流(Depletion Layer Rectification)或PN结整流(PN Junction Rectification)以符合现代规范。"空虚层"多见于早期文献,当前中文学术出版物已逐步淘汰该译法。
关于“空虚层整流”这一术语,目前可查的公开资料中并未发现其明确的定义或应用场景。根据现有信息分析,可能存在以下两种情况:
“空虚层”与“耗尽层”的关联性
在半导体物理中,耗尽层(Depletion Layer)是PN结的关键结构,由正负离子形成的无自由载流子区域。它在整流过程中起核心作用:
其他领域术语的可能性
“空虚层”可能涉及流体力学或地质学等领域的专业词汇,但当前搜索结果未提供相关依据。
术语核实建议
请确认是否为“耗尽层整流”或“空间电荷层整流”(两者均为半导体术语)。若涉及其他领域,建议提供更多上下文。
整流的基础原理补充
如需进一步解答,请补充术语的具体来源或应用背景。
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