位錯英文解釋翻譯、位錯的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 dislocation; line defects; linear defects

分詞翻譯：

位的英語翻譯：

digit; location; place; potential; throne
【計】 D
【化】 bit
【醫】 P; position
【經】 bit

錯的英語翻譯：

alternate; complex; fault; wrong
【醫】 allo-
【經】 miscount

專業解析

位錯（dislocation）是材料科學中描述晶體内部原子排列缺陷的核心概念，指晶體結構中原子位置發生非完整周期性排列的區域性偏移現象。根據伯格斯矢量（Burgers vector）方向與位錯線的關系，位錯可分為三種基本類型：刃型位錯（edge dislocation）、螺型位錯（screw dislocation）和混合位錯（mixed dislocation）。

在材料力學行為中，位錯的運動是塑性變形的主要機制。例如，金屬材料在受力時，位錯沿滑移面移動導緻晶面滑移，宏觀表現為材料的延展性。透射電子顯微鏡（TEM）等表征技術可直接觀測到位錯線的形态，為研究材料失效機理提供重要依據。

位錯理論在半導體工業中具有特殊意義。晶體生長過程中控制位錯密度直接影響芯片性能，現代外延技術可将矽晶圓的位錯密度降低至$10 text{cm}^{-2}$量級以下，顯著提升電子器件可靠性。相關研究可參考劍橋大學材料系出版的《晶體缺陷與性能》（Crystal Defects and Performance）專著第7章。

網絡擴展解釋

位錯是晶體材料中的一種線缺陷，指原子排列的局部不規則性，通常表現為晶體中已滑移區與未滑移區的分界線。以下是詳細解釋：

1.基本定義與特征

幾何特性：位錯屬于線缺陷，其存在導緻晶體内部原子排列發生畸變，形成狹長的彈性畸變區。
形成機制：源于晶體生長不穩定或外力作用下的局部滑移，滑移區與未滑移區的交界線即為位錯線。
影響：顯著降低材料的理論強度，并主導塑性變形過程（如金屬的延展性）。

2.主要類型

刃型位錯：
多餘半原子面插入晶體，位錯線垂直于滑移方向，周圍存在正應變和切應變。
螺型位錯：
原子面呈螺旋排列，位錯線平行于滑移方向，分為左旋和右旋兩種。
混合位錯：
兼具刃型和螺型位錯的特征，常見于實際晶體中。

3.作用與意義

力學性能：位錯運動是材料塑性變形的主要機制，解釋了實際材料強度遠低于理論值的原因。
物理影響：影響擴散、相變及第二相形核，并可能成為材料斷裂的起始點。
理論研究：位錯理論結合了彈性力學與晶體缺陷分析，由Vito Volterra于1905年提出，後發展為材料科學的重要基礎。

4.相關概念

單位位錯：柏氏矢量等于晶體最短點陣矢量的位錯，屬于全位錯的一種。

如需進一步了解位錯的受力分析或增殖機制，可參考相關文獻或教材中的擴展内容。