位错英文解释翻译、位错的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 dislocation; line defects; linear defects

分词翻译：

位的英语翻译：

digit; location; place; potential; throne
【计】 D
【化】 bit
【医】 P; position
【经】 bit

错的英语翻译：

alternate; complex; fault; wrong
【医】 allo-
【经】 miscount

专业解析

位错（dislocation）是材料科学中描述晶体内部原子排列缺陷的核心概念，指晶体结构中原子位置发生非完整周期性排列的区域性偏移现象。根据伯格斯矢量（Burgers vector）方向与位错线的关系，位错可分为三种基本类型：刃型位错（edge dislocation）、螺型位错（screw dislocation）和混合位错（mixed dislocation）。

在材料力学行为中，位错的运动是塑性变形的主要机制。例如，金属材料在受力时，位错沿滑移面移动导致晶面滑移，宏观表现为材料的延展性。透射电子显微镜（TEM）等表征技术可直接观测到位错线的形态，为研究材料失效机理提供重要依据。

位错理论在半导体工业中具有特殊意义。晶体生长过程中控制位错密度直接影响芯片性能，现代外延技术可将硅晶圆的位错密度降低至$10 text{cm}^{-2}$量级以下，显著提升电子器件可靠性。相关研究可参考剑桥大学材料系出版的《晶体缺陷与性能》（Crystal Defects and Performance）专著第7章。

网络扩展解释

位错是晶体材料中的一种线缺陷，指原子排列的局部不规则性，通常表现为晶体中已滑移区与未滑移区的分界线。以下是详细解释：

1.基本定义与特征

几何特性：位错属于线缺陷，其存在导致晶体内部原子排列发生畸变，形成狭长的弹性畸变区。
形成机制：源于晶体生长不稳定或外力作用下的局部滑移，滑移区与未滑移区的交界线即为位错线。
影响：显著降低材料的理论强度，并主导塑性变形过程（如金属的延展性）。

2.主要类型

刃型位错：
多余半原子面插入晶体，位错线垂直于滑移方向，周围存在正应变和切应变。
螺型位错：
原子面呈螺旋排列，位错线平行于滑移方向，分为左旋和右旋两种。
混合位错：
兼具刃型和螺型位错的特征，常见于实际晶体中。

3.作用与意义

力学性能：位错运动是材料塑性变形的主要机制，解释了实际材料强度远低于理论值的原因。
物理影响：影响扩散、相变及第二相形核，并可能成为材料断裂的起始点。
理论研究：位错理论结合了弹性力学与晶体缺陷分析，由Vito Volterra于1905年提出，后发展为材料科学的重要基础。

4.相关概念

单位位错：柏氏矢量等于晶体最短点阵矢量的位错，属于全位错的一种。

如需进一步了解位错的受力分析或增殖机制，可参考相关文献或教材中的扩展内容。