
【化】 real crystal
practicality; practice; reality
【計】 achieved
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal
實際晶體(real crystal)是指自然界或人工制備中真實存在的晶體結構,與理論上完美的“理想晶體”相對。其核心特征在于存在結構缺陷,這些缺陷直接影響材料的物理化學性質。以下是漢英對照的專業解釋:
英文:Real Crystal
定義:具有點陣結構但含各類缺陷的固态物質,如位錯、空位、雜質原子等 。區别于理想晶體(Ideal Crystal)的無限周期性完美排列。
結構缺陷(Structural Defects)
性能影響
缺陷顯著改變晶體的電導率(electrical conductivity)、機械強度(mechanical strength)及擴散行為(diffusion behavior)。例如,金屬中的位錯滑移(dislocation slip)是塑性變形的微觀機制 。
實際晶體的缺陷可控性對材料工程至關重要:
權威來源:
: MRS Bulletin: Defect Engineering in Semiconductors
: Springer Handbook of Materials Science: Grain Boundaries
實際晶體是指在真實環境中形成的、存在結構缺陷的晶體,與理想化的完美晶體結構有所區别。其核心特征和解釋如下:
實際晶體在微觀結構上并非完全規則排列,内部存在點缺陷(空位、間隙原子)、線缺陷(位錯)或面缺陷(晶界)。這些缺陷源于晶體生長過程中溫度、壓力等外界條件的影響,或雜質原子的混入。例如,金屬材料中的位錯會顯著影響其機械強度。
材料科學中,實際晶體的缺陷直接影響材料的性能。例如:
如需進一步了解實際晶體的分類(如單晶、多晶)或缺陷類型,可參考材料學相關文獻或實驗研究。
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