栅極接地放大器英文解釋翻譯、栅極接地放大器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grounded-gird amplifier; grounded-grid amplifier

分詞翻譯：

栅的英語翻譯：

bar

極的英語翻譯：

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【醫】 per-; pole; polus

接地的英語翻譯：

【計】 earth connection; G; GND
【化】 earth; ground

放大器的英語翻譯：

amplifier; magnifier
【計】 amplifier; expandor; recording amplifier
【化】 amplifier
【醫】 amplifier

專業解析

栅極接地放大器（Grounded-Gate Amplifier）是場效應晶體管（FET）放大電路的一種基本組态，其核心特征是将晶體管的栅極（Gate）直接連接到交流信號的參考地電位。以下從漢英詞典角度對其詳細解釋：

一、術語解析與基本結構

栅極 (Gate)
場效應晶體管的控制電極，通過栅源電壓（(V_{GS})）調控漏極電流。在漢英對照中，"栅極"對應"Gate"，強調其控制電流通道的"門"作用。
接地 (Grounded)
指栅極通過電容或直接連接至電路的交流地（AC ground），即對交流信號呈零電位（(V_g = 0)）。英文術語"Grounded"明确其電氣連接特性。
放大器 (Amplifier)
實現信號電壓/功率放大的電路，此處特指以FET為核心的單級放大結構。

二、工作原理與特性

信號輸入/輸出路徑
- 輸入信號：從源極（Source）注入，栅極作為交流地（輸入阻抗低）。
- 輸出信號：從漏極（Drain）取出，通過負載電阻實現電壓放大。
  電壓增益公式：
  
  $$ A_v = g_m cdot R_D $$
  
  其中 (g_m) 為FET跨導，(R_D) 為漏極負載電阻。
核心優勢
- 低輸入阻抗：適用于電流信號放大（如光電探測器前置放大）。
- 高頻特性：栅極接地減小了米勒電容效應，帶寬優于共源極結構。

三、典型應用場景

射頻電路
用作低噪聲放大器（LNA），常見于微波接收機前端設計。

電流緩沖器
利用低輸入阻抗特性，實現高帶寬電流傳輸。

級聯結構（Cascode）
與共源極組合形成高增益、高帶寬放大器，抑制溝道長度調制效應。

四、與共源/共漏組态對比

組态	輸入電極	輸出電極	輸入阻抗	電壓增益
栅極接地	源極	漏極	低	高
共源極	栅極	漏極	高	高
共漏極	栅極	源極	高	≈1

參考來源：

《微電子電路》（Sedra/Smith）第7章 - FET放大器結構

IEEE論文 "Grounded-Gate RF Amplifiers for UWB Systems" (DOI: 10.1109/TMTT.2005.860307)

安森美應用筆記 "Cascode Amplifier Design" (AND9129/D)

網絡擴展解釋

栅極接地放大器是一種特殊的晶體管放大電路配置，常見于MOS管應用中。以下是其核心要點：

基本定義
栅極接地（Common Gate）放大電路中，栅極作為電路的公共參考點（通常固定電位），輸入信號加載到源極，輸出信號從漏極提取。這種結構與共源極、共漏極電路形成互補。
電路結構特點
- 輸入端：源極作為信號輸入端，栅極直接接地或固定偏置電壓。
- 輸出端：漏極連接負載電阻，輸出信號通過漏極與電源之間的電壓變化獲取。
- 偏置要求：需确保晶體管工作在飽和區，以實現放大功能。
工作原理
當源極輸入電壓（(v{in})）上升時，栅-源極間電壓（(V{GS})）減小，導緻漏極電流（(ID)）降低。此時漏-源極間電壓（(V{DS})）變化，輸出電壓（(v_{out})）可通過跨導（(g_m)）和負載電阻（(RL)）計算，公式為：
$$
v{out} approx g_m cdot RL cdot v{in}
$$
電壓增益通常小于共源極結構，但輸入阻抗更低，適合高頻應用。
應用場景
常用于高頻信號放大、阻抗匹配或作為電流緩沖器，因其輸入阻抗低（約(1/g_m)）可減少信號反射，輸出阻抗高有利于驅動後續電路。
對比其他配置
與漏極接地（共漏極，源極跟隨器）相比，栅極接地電路電壓增益更高，但電流增益接近1；與共源極相比，高頻特性更優但增益較低。

如需進一步了解電路參數設計或具體實例，可參考電子工程教材中的共栅放大器章節。