栅极接地放大器英文解释翻译、栅极接地放大器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 grounded-gird amplifier; grounded-grid amplifier

分词翻译：

栅的英语翻译：

bar

极的英语翻译：

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【医】 per-; pole; polus

接地的英语翻译：

【计】 earth connection; G; GND
【化】 earth; ground

放大器的英语翻译：

amplifier; magnifier
【计】 amplifier; expandor; recording amplifier
【化】 amplifier
【医】 amplifier

专业解析

栅极接地放大器（Grounded-Gate Amplifier）是场效应晶体管（FET）放大电路的一种基本组态，其核心特征是将晶体管的栅极（Gate）直接连接到交流信号的参考地电位。以下从汉英词典角度对其详细解释：

一、术语解析与基本结构

栅极 (Gate)
场效应晶体管的控制电极，通过栅源电压（(V_{GS})）调控漏极电流。在汉英对照中，"栅极"对应"Gate"，强调其控制电流通道的"门"作用。
接地 (Grounded)
指栅极通过电容或直接连接至电路的交流地（AC ground），即对交流信号呈零电位（(V_g = 0)）。英文术语"Grounded"明确其电气连接特性。
放大器 (Amplifier)
实现信号电压/功率放大的电路，此处特指以FET为核心的单级放大结构。

二、工作原理与特性

信号输入/输出路径
- 输入信号：从源极（Source）注入，栅极作为交流地（输入阻抗低）。
- 输出信号：从漏极（Drain）取出，通过负载电阻实现电压放大。
  电压增益公式：
  
  $$ A_v = g_m cdot R_D $$
  
  其中 (g_m) 为FET跨导，(R_D) 为漏极负载电阻。
核心优势
- 低输入阻抗：适用于电流信号放大（如光电探测器前置放大）。
- 高频特性：栅极接地减小了米勒电容效应，带宽优于共源极结构。

三、典型应用场景

射频电路
用作低噪声放大器（LNA），常见于微波接收机前端设计。

电流缓冲器
利用低输入阻抗特性，实现高带宽电流传输。

级联结构（Cascode）
与共源极组合形成高增益、高带宽放大器，抑制沟道长度调制效应。

四、与共源/共漏组态对比

组态	输入电极	输出电极	输入阻抗	电压增益
栅极接地	源极	漏极	低	高
共源极	栅极	漏极	高	高
共漏极	栅极	源极	高	≈1

参考来源：

《微电子电路》（Sedra/Smith）第7章 - FET放大器结构

IEEE论文 "Grounded-Gate RF Amplifiers for UWB Systems" (DOI: 10.1109/TMTT.2005.860307)

安森美应用笔记 "Cascode Amplifier Design" (AND9129/D)

网络扩展解释

栅极接地放大器是一种特殊的晶体管放大电路配置，常见于MOS管应用中。以下是其核心要点：

基本定义
栅极接地（Common Gate）放大电路中，栅极作为电路的公共参考点（通常固定电位），输入信号加载到源极，输出信号从漏极提取。这种结构与共源极、共漏极电路形成互补。
电路结构特点
- 输入端：源极作为信号输入端，栅极直接接地或固定偏置电压。
- 输出端：漏极连接负载电阻，输出信号通过漏极与电源之间的电压变化获取。
- 偏置要求：需确保晶体管工作在饱和区，以实现放大功能。
工作原理
当源极输入电压（(v{in})）上升时，栅-源极间电压（(V{GS})）减小，导致漏极电流（(ID)）降低。此时漏-源极间电压（(V{DS})）变化，输出电压（(v_{out})）可通过跨导（(g_m)）和负载电阻（(RL)）计算，公式为：
$$
v{out} approx g_m cdot RL cdot v{in}
$$
电压增益通常小于共源极结构，但输入阻抗更低，适合高频应用。
应用场景
常用于高频信号放大、阻抗匹配或作为电流缓冲器，因其输入阻抗低（约(1/g_m)）可减少信号反射，输出阻抗高有利于驱动后续电路。
对比其他配置
与漏极接地（共漏极，源极跟随器）相比，栅极接地电路电压增益更高，但电流增益接近1；与共源极相比，高频特性更优但增益较低。

如需进一步了解电路参数设计或具体实例，可参考电子工程教材中的共栅放大器章节。