
【計】 rise-fall delay
在電子工程與信號處理領域,"上升-下降延遲"(Rise-Fall Delay)指電路系統中信號電平從低到高(上升沿)與從高到低(下降沿)轉換時産生的時差。該參數直接影響數字電路的時序性能,具體表現為:
上升延遲(Rise Delay):信號從穩定值的10%上升至90%所需時間,主要受晶體管導通速度與寄生電容影響。該指标在CMOS電路中與P型MOS管的載流子遷移率直接相關。
下降延遲(Fall Delay):信號從90%下降至10%的時間跨度,通常由N型MOS管的關斷特性決定。金屬互連層的電阻-電容(RC)延遲是主要制約因素。
時序差異:由于半導體材料的電子-空穴遷移率不對稱性,典型CMOS門電路的下降延遲比上升延遲快15-30%。這種非對稱特性在時鐘樹綜合時需要特别補償。
實際應用中,該參數組作為時序收斂的核心指标,被寫入标準單元庫的Liberty格式文件,供EDA工具進行靜态時序分析。現代7nm制程下,典型反相器的上升/下降延遲已壓縮至5ps量級。
"上升—下降延遲"是數字電路與硬件描述語言中的專業術語,主要描述信號在邏輯門或電路中的傳輸延遲特性。以下是具體解釋:
上升延遲
指邏輯門輸入信號變化後,輸出信號從低電平(0)、不确定态(x)或高阻态(z)上升到高電平(1)所需的時間。
應用場景:常見于電路時序分析,用于評估信號從低到高切換的速度。
下降延遲
指輸出信號從高電平(1)、不确定态(x)或高阻态(z)下降到低電平(0)所需的時間。
對比說明:上升和下降延遲可能不對稱,實際電路中需分别測量。
中間點定義
實際電路中,延遲通常以輸入/輸出信號波形上升或下降沿的中間點(如50%電平)的時間差來計算。
#(rise, fall)
語法定義門延遲,例如#(3,4)
表示上升延遲3單位、下降延遲4單位。上升和下降延遲是數字電路設計中關鍵時序參數,直接影響系統穩定性和最大工作頻率。需結合具體器件手冊和仿真工具進行精确分析。
如需進一步了解其他延遲類型或應用案例,可參考來源:、、。
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