
【计】 rise-fall delay
在电子工程与信号处理领域,"上升-下降延迟"(Rise-Fall Delay)指电路系统中信号电平从低到高(上升沿)与从高到低(下降沿)转换时产生的时差。该参数直接影响数字电路的时序性能,具体表现为:
上升延迟(Rise Delay):信号从稳定值的10%上升至90%所需时间,主要受晶体管导通速度与寄生电容影响。该指标在CMOS电路中与P型MOS管的载流子迁移率直接相关。
下降延迟(Fall Delay):信号从90%下降至10%的时间跨度,通常由N型MOS管的关断特性决定。金属互连层的电阻-电容(RC)延迟是主要制约因素。
时序差异:由于半导体材料的电子-空穴迁移率不对称性,典型CMOS门电路的下降延迟比上升延迟快15-30%。这种非对称特性在时钟树综合时需要特别补偿。
实际应用中,该参数组作为时序收敛的核心指标,被写入标准单元库的Liberty格式文件,供EDA工具进行静态时序分析。现代7nm制程下,典型反相器的上升/下降延迟已压缩至5ps量级。
"上升—下降延迟"是数字电路与硬件描述语言中的专业术语,主要描述信号在逻辑门或电路中的传输延迟特性。以下是具体解释:
上升延迟
指逻辑门输入信号变化后,输出信号从低电平(0)、不确定态(x)或高阻态(z)上升到高电平(1)所需的时间。
应用场景:常见于电路时序分析,用于评估信号从低到高切换的速度。
下降延迟
指输出信号从高电平(1)、不确定态(x)或高阻态(z)下降到低电平(0)所需的时间。
对比说明:上升和下降延迟可能不对称,实际电路中需分别测量。
中间点定义
实际电路中,延迟通常以输入/输出信号波形上升或下降沿的中间点(如50%电平)的时间差来计算。
#(rise, fall)
语法定义门延迟,例如#(3,4)
表示上升延迟3单位、下降延迟4单位。上升和下降延迟是数字电路设计中关键时序参数,直接影响系统稳定性和最大工作频率。需结合具体器件手册和仿真工具进行精确分析。
如需进一步了解其他延迟类型或应用案例,可参考来源:、、。
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