缺陷晶體英文解釋翻譯、缺陷晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 imperfect crystal

blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【醫】 defect; vitium
【經】 defective

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

在材料科學領域，"缺陷晶體"（defective crystal）指晶體結構中存在原子排列偏離理想周期性點陣的區域或特征。這種偏離可表現為原子缺失、錯位、雜質原子嵌入或結構畸變等。其核心概念與類型如下：

中文術語：缺陷晶體
英文術語：Defective Crystal / Crystal Defect
定義：理想晶體具有嚴格的空間點陣周期性，而缺陷晶體因内部存在點缺陷（point defects）、線缺陷（line defects）、面缺陷（planar defects）或體缺陷（volume defects），導緻其物理性質（如導電性、機械強度）發生顯著變化。

點缺陷（Point Defects）
- 空位（Vacancy）：晶格節點原子缺失，如金屬加熱時形成的原子空位。
- 間隙原子（Interstitial Atom）：原子擠入晶格間隙，如碳原子嵌入鐵晶格形成鋼。
- 雜質原子（Impurity Atom）：外來原子取代晶格原子（置換型）或占據間隙（間隙型），如半導體中摻雜磷（P）或硼（B）。
線缺陷（位錯, Dislocation）
- 刃型位錯（Edge Dislocation）：原子平面半途終止，形成額外半原子面。
- 螺型位錯（Screw Dislocation）：原子面沿螺旋軸錯開，影響晶體塑性變形能力。
面缺陷（Planar Defects）
- 晶界（Grain Boundary）：多晶材料中不同晶粒間的界面。
- 堆垛層錯（Stacking Fault）：密排結構中原子層堆疊順序錯誤，常見于矽（Si）晶體。

缺陷晶體是材料功能化的關鍵：

Callister, W. D., & Rethwisch, D. G. Materials Science and Engineering: An Introduction（材料科學與工程基礎）. John Wiley & Sons, 2018. （定義與分類标準）
Shackelford, J. F. Introduction to Materials Science for Engineers（工程師材料科學導論）. Pearson, 2015. （半導體缺陷案例）
Hull, D., & Bacon, D. J. Introduction to Dislocations（位錯導論）. Butterworth-Heinemann, 2011. （位錯理論專著）
中國國家标準 GB/T 19629-2005 《微電子技術術語》（中文術語規範）

注：缺陷晶體的研究是凝聚态物理與材料工程交叉的核心領域，其可控設計直接推動電子器件與結構材料的革新。

晶體缺陷是指晶體内部偏離理想原子排列結構的區域，其存在對材料的物理、化學及機械性能有重要影響。以下是詳細解釋：

晶體缺陷是材料科學的核心課題。通過控制缺陷類型和密度，可優化材料性能，例如：

如需進一步了解具體缺陷的數學模型或實驗方法，可參考材料科學專業文獻。